| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SA1724
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High fT (fT = 1.5GHz typ). High Current (IC = 300mA). Adoption of FBET process. 高英尺（ FT = 1.5GHz的典型值）。高电流（ IC = 300毫安） 。采用FBET过程。 |
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2SA1729
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT Process. Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. 采用FBET ， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
晶体 晶体管 开关 |
Total:21
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