| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SA1730
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET , MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
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2SA1734
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low saturation voltage: VCE( = -0.5 V (max) (IC = -700 mA).Small flat package. 低饱和电压VCE （ = -0.5 V（最大值） （ IC = -700毫安） 。小扁平封装。 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SA1735
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low Saturation Voltage: VCE(sat) = -0.5V (max) (IC = -500mA) Small Flat Package 低饱和电压： VCE （SAT） = -0.5V （最大值） （ IC = -500mA ）小型扁平封装 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SA1736
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low Saturation Voltage: VCE(sat) = -0.5V (max) (IC = -1.5A) Small Flat Package 低饱和电压： VCE （SAT） = -0.5V （最大值） （ IC = -1.5A ）小型扁平封装 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SA1738
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High-speed switch Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 高速开关低集电极到发射极饱和电压VCE （SAT） 。 |
开关 | |||
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2SA1739
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High speed switching. Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). 高速开关。低集电极 - 发射极饱和电压VCE （SAT） 。 |
晶体 开关 晶体管 光电二极管 |
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