| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SA1812
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High breakdown voltage. Low saturation voltage.Collector-base voltage VCBO -400 V 高击穿电压。低饱和度voltage.Collector - 基极电压VCBO -400 V |
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2SA1813
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Very small-sized package. Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=500 to 1200). 非常小尺寸的封装。采用FBET过程。高直流电流增益（HFE = 500〜 1200） 。 |
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2SA1815
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High power gain:PG=25dB typ(f=100MHz) High power gain:PG=25dB typ(f=100MHz) 高功率增益： PG = 25分贝典型值（ F = 100MHz时）高功率增益： PG = 25分贝典型值（ F = 100MHz时） |
Total:31
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