| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SB1114
中文翻译 品牌: TYSEMI |
World standard miniature package. High DC current gain hFE=135 to 600. 世界标准的微型封装。高直流电流增益hFE = 135 〜600 。 |
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2SB1115
中文翻译 品牌: TYSEMI |
World standard miniature package. Low VCE(sat): VCE(sat)=-0.2V at 1A 世界标准的微型封装。低VCE （SAT） ： VCE （SAT） = - 0.2V 1A处 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SB1115A
中文翻译 品牌: TYSEMI |
World standard miniature package. Low VCE(sat): VCE(sat)=-0.2V at 1A 世界标准的微型封装。低VCE （SAT） ： VCE （SAT） = - 0.2V 1A处 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SB1118
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Very small size making it easy to provide highdensity, Low collector-to-emitter 非常小的尺寸使得它容易地提供高密度，低集电极 - 发射极 |
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2SB1119
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid ICS 非常小的尺寸使其易于提供高密度，小型混合动力ICS |
晶体 晶体管 | |||
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2SB1120
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector-to-emitter saturation voltage : VCE(sat)max=-0.45V. small-sized hybrid ICS 低集电极 - 发射极饱和电压VCE （ sat）的最大值= -0.45V 。小型混合动力ICS |
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2SB1121
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SB1122
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET process Very small size making it easy to provide highdensity hybrid ICS 通过FBET过程中非常小的尺寸使其易于提供高密度混合ICS |
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2SB1123
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
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2SB1124
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SB1125
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High DC Current gain. Large Current Capaity and wie ASO Collector-base voltage VCBO -80 V 高直流电流增益。大电流Capaity和魏某ASO集电极 - 基极电压VCBO -80 V |
晶体 晶体管 放大器 | |||
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2SB1132
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat) Compliments to 2SD1664 Collector-Base Voltage VCBO -40 V 低VCE （ sat）的致意2SD1664集电极 - 基极电压VCBO -40 V |
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2SB1169A
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity. 高正向电流传输比的hFE有良好的线性度。 |
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2SB1172A
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity. 高正向电流传输比的hFE有良好的线性度。 |
晶体 晶体管 光电二极管 放大器 | |||
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2SB1174
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector current IC. 低集电极 - 发射极饱和电压VCE （SAT） 。大的集电极电流IC 。 |
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2SB1175
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. Large collector current IC. 正向电流传输比的hFE良好的线性。大的集电极电流IC 。 |
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2SB1176
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector current IC. 低集电极 - 发射极饱和电压VCE （SAT） 。大的集电极电流IC 。 |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2SB1181
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Hight breakdown voltage and high current. Low VCE(sat). 海特击穿电压和高电流。低VCE （SAT） 。 |
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2SB1182
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat). Epitaxial planar type PNP silicon transistor 低VCE （SAT） 。外延平面型PNP硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2SB1184
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat). PNP silicon transistor. Epitaxial planar type 低VCE （SAT） 。 PNP硅晶体管。外延平面型 |
晶体 晶体管 | |||
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2SB1188
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC/IB = -2A / -0.2A) 低VCE （SAT） 。 VCE （SAT） = -0.5V （典型值） （ IC / IB = -2A / -0.2A ） |
晶体 晶体管 | |||
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2SB1189
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High breakdown voltage, BVCEO=-80V, and high current, IC=-0.7A. 高击穿电压BVCEO = -80V ，大电流， IC = -0.7A 。 |
晶体 晶体管 | |||
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2SB1197K
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat).VCE(sat) -0.5V IC / IB= -0.5A / -50mA .PNP silicon transistor 低VCE （ sat）的.VCE （星期六） -0.5V IC / IB = -0.5A / -50mA .PNP硅晶体管 |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2SB1198K
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat).VCE(sat)=-0.2V VCE(sat)=-0.2V High berakdown voltage. BVCEO=-80V 低VCE （ sat）的.VCE （星期六） = - 0.2V VCE （SAT） = - 0.2V高电压berakdown 。 BVCE |
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