| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SB1120
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector-to-emitter saturation voltage : VCE(sat)max=-0.45V. small-sized hybrid ICS 低集电极 - 发射极饱和电压VCE （ sat）的最大值= -0.45V 。小型混合动力ICS |
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2SB1121
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SB1122
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET process Very small size making it easy to provide highdensity hybrid ICS 通过FBET过程中非常小的尺寸使其易于提供高密度混合ICS |
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2SB1123
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
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2SB1124
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SB1125
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High DC Current gain. Large Current Capaity and wie ASO Collector-base voltage VCBO -80 V 高直流电流增益。大电流Capaity和魏某ASO集电极 - 基极电压VCBO -80 V |
晶体 晶体管 放大器 |
Total:61
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