| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
2SB1260
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High breakdown voltage and high current.BVCEO= -80V, IC=-1A PNP silicon transistor 高击穿电压，高current.BVCEO = -80V ， IC = -1A PNP硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
|
2SB1261-Z
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat): VCE(sat) -0.3V. High hFE. Collector to base voltage VCBO -60 V 低VCE （SAT） ： VCE （ sat）的-0.3V 。高的hFE 。集电极基极电压VCBO -60 V |
晶体 晶体管 开关 | |||
|
2SB1266
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Suitable for sets whose heighit is restricted. High reliability. 适于套，其heighit被限制。高可靠性。 |
Total:31
总3条记录，每页显示30条记录分1页显示。