2SA18 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：8

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SA1812 中文翻译品牌: TYSEMI	High breakdown voltage. Low saturation voltage.Collector-base voltage VCBO -400 V 高击穿电压。低饱和度voltage.Collector - 基极电压VCBO -400 V
		2SA1813 中文翻译品牌: TYSEMI	Very small-sized package. Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=500 to 1200). 非常小尺寸的封装。采用FBET过程。高直流电流增益（HFE = 500〜 1200）。
		2SA1815 中文翻译品牌: TYSEMI	High power gain:PG=25dB typ(f=100MHz) High power gain:PG=25dB typ(f=100MHz) 高功率增益： PG = 25分贝典型值（ F = 100MHz时）高功率增益： PG = 25分贝典型值（ F = 100MHz时）
		2SA1832 中文翻译品牌: TYSEMI	High Voltage and High Curren :VCEO=-50V,IC=-150mA(Max.) High hFE: hFE=70 to 400 高电压和高柯伦： VCEO = -50V ， IC = -150mA （最大值）高的hFE ：的hFE = 70〜 400	晶体晶体管光电二极管
		2SA1839 中文翻译品牌: TYSEMI	Very small-sized package permitting 2SA1839-applied sets to be made small and slim 非常小的尺寸以制成包允许2SA1839施加台小型且薄型
		2SA1875 中文翻译品牌: TYSEMI	High fT : fT=400MHz(typ). High breakdown voltage : VCEO 200V(min). 高的fT ： FT = 400MHz的（典型值）。高击穿电压： 200V VCEO （分钟）。
		2SA1890 中文翻译品牌: TYSEMI	Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) High collector-emitter voltage (Base open) VCEO 低集电极 - 发射极饱和电压VCE （ sat）的高集电极 - 发射极电压（基本开） VCEO	晶体晶体管放大器
		2SA1898 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET and MBIT processes. Large current capacity. 采用FBET和MBIT过程。大电流的能力。

Total:81

总8条记录，每页显示30条记录分1页显示。

型号起始：	2SA18* (749) 2SA180* (102) 2SA181* (83) 2SA182* (60) 2SA183* (139) 2SA184* (71) 2SA185* (43) 2SA186* (60) 2SA187* (78) 2SA188* (65) 2SA189* (48)
所属品牌：	不限 ROHM(243) ETC(141) TOSHIBA(68) RENESAS(60) NEC(51) KEXIN(39) SANYO(29) PANASONIC(18) ISC(17) JMNIC(12) SAVANTIC(12) TYSEMI(8) UTC(8) NJSEMI(7) ONSEMI(7) SANKEN(7) SHINDENGEN(5) WEITRON(3) CJ(2) MCC(2) SECOS(2) WINNERJOIN(2) HITACHI(1) HTSEMI(1) JCST(1) JSMC(1) SWST(1) TI(1)
功能分类：	不限晶体(1) 晶体管(1) 开关(0) 放大器(0) 光电二极管(1) 功率双极晶体管(0) 局域网(0) 小信号双极晶体管(0) 高压(0) 电话(0) 功率放大器(0) 驱动(0) 显示器(0) 电源开关(0) 电视(0) 驱动器(0) 闪光灯(0) PC(0) 输出元件(0) 信号器(0) 转换器(0) DC-DC转换器(0) 电机(0)