品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SA1900
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.15V at IC /IB = 500mA / 50mA 低饱和电压,通常为VCE (SAT) = 0.15V时IC / IB = 500毫安/ 50毫安 |
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2SA1923
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High Voltage:VCBO=-400V Low Saturation Voltage:VCE(sat)=-1V(Max.) 高电压: VCBO = -400V低饱和电压: VCE (SAT) = - 1V (最大) |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SA1944
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High voltage VCEO=-50V Low collector to emitter saturation voltage 高电压VCEO = -50V低集电极到发射极饱和电压 |
晶体 晶体管 | |||
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2SA1945
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High voltage VCEO=-50V Excellent linearity of DC forward current gain 高电压VCEO = -50V的直流正向电流增益线性度极佳 |
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2SA1946
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector saturation voltage Excellent linearity of DC forward current gain 低集电极饱和电压优异的直流正向电流增益线性度 |
晶体 晶体管 | |||
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2SA1947
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Excellent linearity of DC forward current gain High collector current Icm=-1.5A 直流正向电流增益高集电极电流I CM = -1.5A出色的线性度 |
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2SA1948
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High fT fT=200MHz typ, low Cob Cob=3.5pF typ Small package for mounting 高fT的FT = 200MHz的典型值,低的玉米棒玉米棒=典型的3.5pF小型封装安装 |
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2SA1954
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low saturation voltage VCE(sat) (1) = -15 mV (typ.) 低饱和电压VCE (SAT) ( 1 ) = -15毫伏(典型值)。 |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2SA1971
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High voltage: VCE = -400 V Collector-base voltage VCBO -400 V 高电压VCE = -400 V集电极 - 基极电压VCBO -400 V |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SA1978
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High gain |S21e|2=10.0dB TYP.f=1.0GHz,Vce=-10V,Ic=-15mA 高增益| S21e | 2 = 10.0分贝TYP.f = 1.0GHz的,的Vce = -10V , IC = -15mA |
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2SA1979UF
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage. 合适的,因为它的低饱和电压的低电压操作。 |
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2SA1980UF
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector saturation voltage. Low output capacitance. 低集电极饱和电压。低输出电容。 |
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2SA1981SF
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High Hfe:.hFE=100 to 320 Collector-base voltage VCBO -35 V 高HFE : .hFE = 100〜 320集电极 - 基极电压VCBO -35 V |
Total:131
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