品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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3DD13001A
中文翻译 品牌: JSMC |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 高压快速开关NPN功率晶体管 |
晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13001A-O-T-B-A
中文翻译 品牌: JSMC |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 高压快速开关NPN功率晶体管 |
晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13001A-O-T-N-C
中文翻译 品牌: JSMC |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 高压快速开关NPN功率晶体管 |
晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13001H
中文翻译 品牌: JSMC |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 高压快速开关NPN功率晶体管 |
晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13001H-O-T-B-A
中文翻译 品牌: JSMC |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 高压快速开关NPN功率晶体管 |
晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13001H-O-T-N-C
中文翻译 品牌: JSMC |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 高压快速开关NPN功率晶体管 |
晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13001S
中文翻译 品牌: JSMC |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 高压快速开关NPN功率晶体管 |
晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13001S-O-T-B-A
中文翻译 品牌: JSMC |
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晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13001S-O-T-N-C
中文翻译 品牌: JSMC |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 高压快速开关NPN功率晶体管 |
晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13002E
中文翻译 品牌: JSMC |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 高压快速开关NPN功率晶体管 |
晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13002E-O-M-N-B
中文翻译 品牌: JSMC |
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晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13002E-O-M-N-C
中文翻译 品牌: JSMC |
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晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13002S
中文翻译 品牌: JSMC |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 高压快速开关NPN功率晶体管 |
晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13002S-O-M-N-B
中文翻译 品牌: JSMC |
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晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13002S-O-M-N-C
中文翻译 品牌: JSMC |
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晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13002S-O-MS-N-B
中文翻译 品牌: JSMC |
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晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13002S-O-MS-N-C
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3DD13002S-O-T-B-A
中文翻译 品牌: JSMC |
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3DD13002S-O-T-N-C
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3DD13003
中文翻译 品牌: JSMC |
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晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13003-O-M-N-B
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晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13003-O-M-N-C
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3DD13003-O-MS-N-B
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晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13003-O-MS-N-C
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3DD13003A
中文翻译 品牌: JSMC |
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晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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3DD13003A-O-M-N-B
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3DD13003A-O-M-N-C
中文翻译 品牌: JSMC |
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3DD13003A-O-MF-N-B
中文翻译 品牌: JSMC |
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3DD13003A-O-MF-N-C
中文翻译 品牌: JSMC |
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3DD13003A-O-T-B-A
中文翻译 品牌: JSMC |
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晶体 开关 晶体管 高压 |
JSMC是什么品牌:吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业,公司经科技部、中科院等国家机构认证,被列为国家博士后科研工作站、国家创新型企业、国家企业技术中心、CNAS国家认可实验室。
公司总资产69亿元,员工2300余人,技术人员占公司总人数的30%以上,占地面积40万平方米,建筑面积13.5万平方米,净化面积17000平方米,主要净化级别为0.3微米百级。公司于 2001年3月在上海证券交易所上市,股票代码600360,总股本960,295,304股,为国内功率半导体器件领域首家上市公司(主板A股)。