品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SD2098
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor. 低VCE (SAT) 。优良的直流电流增益特性。 NPN硅晶体管。 |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2114K
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High DC current gain. High emitter-base voltage. Low VCE (sat). 高直流电流增益。高发射极 - 基极电压。低VCE (SAT) 。 |
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2SD2115S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low frequency power amplifier.Collector to base voltage VCBO 150 V 低频功率amplifier.Collector到基极电压VCBO 150 V |
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2SD2118
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor. 低VCE (SAT) 。优良的直流电流增益特性。 NPN硅晶体管。 |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2121S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low frequency power amplifier. Collector to base voltage VCBO 35 V 低频功率放大器。集电极基极电压VCBO 35 V |
晶体 放大器 晶体管 功率放大器 | |||
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2SD2122S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low frequency power amplifier. Collector to base voltage VCBO 180 V 低频功率放大器。集电极基极电压VCBO 180 V |
晶体 放大器 晶体管 功率放大器 | |||
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2SD2150
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor. 低VCE (SAT) 。优良的直流电流增益特性。 NPN硅晶体管。 |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2153
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low saturation voltage. Excellent DC current gain characteristics. 低饱和电压。优良的直流电流增益特性。 |
晶体 晶体管 放大器 | |||
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2SD2167
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Built-in zener diode between collector and base. Zener diode has low voltage dispersion. 内置的集电极和基极之间的齐纳二极管。齐纳二极管具有低电压分散性。 |
晶体 二极管 齐纳二极管 晶体管 开关 | |||
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2SD2185
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). the magazine packing. 低集电极 - 发射极饱和电压VCE (SAT) 。该杂志的包装。 |
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2SD2198
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Surface mount type device making the following possible. Low collector-to-emitter saturation voltage. 表面贴装型器件进行以下可能的。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
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2SD2199
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Surface mount type device making the following possible. Low collector-to-emitter saturation voltage. 表面贴装型器件进行以下可能的。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
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2SD2200
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Surface mount type device making the following possible. Large current capacity. 表面贴装型器件进行以下可能的。大电流的能力。 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SD2201
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Surface mount type device making the following possible. Large current capacity. 表面贴装型器件进行以下可能的。大电流的能力。 |
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2SD2210
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) High forward current transfer ratio hFE. 低集电极 - 发射极饱和电压VCE ( sat)的高正向电流传输比hFE参数。 |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2SD2211
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High breakdown voltage Low collector output capacitance High transition frequency 高击穿电压低集电极输出电容的高转换频率 |
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2SD2226K
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High DC current gain. High emitter-base voltage. Low saturation voltage. 高直流电流增益。高发射极 - 基极电压。低饱和电压。 |
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2SD2228
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High dc current. Low collector saturation voltage.Collector-base voltage VCBO 25 V 高直流电流。低集电极饱和voltage.Collector - 基极电压VCBO 25 V |
晶体 晶体管 光电二极管 放大器 | |||
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2SD2230
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High hFE and high current. Low VCE(sat). Collector-base voltage VCBO 16 V 高的hFE和大电流。低VCE (SAT) 。集电极 - 基极电压VCBO 16 V |
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2SD2318
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High DC current gain. Low saturation voltage.Collector-base voltage VCBO 80 V 高直流电流增益。低饱和度voltage.Collector - 基极电压VCBO 80 V |
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2SD2324
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low saturation voltage. Contains a diode between colletor and emitter. 低饱和电压。包含colletor极和发射极之间的二极管。 |
晶体 二极管 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2SD2351
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High DC current gain. High emitter-base voltage. (VCBO=12V) Low saturation voltage. 高直流电流增益。高发射极 - 基极电压。 ( VCBO = 12V ),低饱和电压。 |
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2SD2357
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector power dissipation PC. 低集电极 - 发射极饱和电压VCE (SAT) 。大集电极耗散功率PC 。 |
晶体 晶体管 放大器 PC | |||
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2SD2359
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment 低集电极 - 发射极饱和电压VCE (SAT) 。小功率型封装,设备 |
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2SD2391
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low saturation voltage. Collector-emitter voltage =60V. PC=2 W (on 40 40 0.7mm ceramic board) 低饱和电压。集电极 - 发射极电压= 60V 。 PC = 2 W ( 40 40 0.7毫米陶瓷板) |
PC | |||
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2SD2402
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High current capacitance. Low collector saturation voltage. 高电流容量。低集电极饱和电压。 |
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2SD2403
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High current capacitance. Low collector saturation voltage.Collector-base voltage VCBO 80 V 高电流容量。低集电极饱和voltage.Collector - 基极电压VCBO 80 V |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SD2414
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low Saturation Voltage:VCE(sat)=0.5V(Max.)(at IC=4A) 低饱和电压: VCE (SAT) = 0.5V (最大) (在IC = 4A) |
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2SD2441
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion 小功率型封装,设备和自动插入的,允许裁员 |
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2SD2444K
中文翻译 品牌: TYSEMI |
IC = 1A. Low saturation voltage. Collector-base voltage VCBO 15 V IC = 1A 。低饱和电压。集电极 - 基极电压VCBO 15 V |