型号等于:FQD1N60C (4)
型号起始:FQD1N60C* (11) FQD1N60CT* (6) FQD1N60C_* (1)
所属品牌:不限 FAIRCHILD(5) ROCHESTER(2) KERSEMI(1) ONSEMI(1)
功能分类:不限 局域网(4) 开关(5) 脉冲(5) 晶体管(5) 晶体(3) 功率场效应晶体管(2)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
FQD1N60C
中文翻译 品牌: FAIRCHILD
600V N-Channel MOSFET
600V N沟道MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
FQD1N60C
中文翻译 品牌: KERSEMI
600V N-Channel MOSFET
600V N沟道MOSFET
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网
FQD1N60CTF
中文翻译 品牌: FAIRCHILD
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3 局域网 开关 脉冲 晶体管
FQD1N60CTF
中文翻译 品牌: ROCHESTER
1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 局域网 开关 脉冲 晶体管
Total:41
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