型号等于: | FQD1N60C (4) |
型号起始: | FQD1N60C* (11) FQD1N60CT* (6) FQD1N60C_* (1) |
所属品牌: | 不限 FAIRCHILD(5) ROCHESTER(2) KERSEMI(1) ONSEMI(1) |
功能分类: | 不限 局域网(4) 开关(5) 脉冲(5) 晶体管(5) 晶体(3) 功率场效应晶体管(2) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FQD1N60C
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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FQD1N60C
中文翻译 品牌: KERSEMI |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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FQD1N60CTF
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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FQD1N60CTF
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
Total:41
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