所属品牌: | 不限 LG(322) |
功能分类: | 不限 内存集成电路(104) 光电二极管(99) 动态存储器(102) CD(35) 逻辑集成电路(8) 输出元件(8) 输入元件(8) 存储(3) 静态存储器(2) 总线收发器(4) 驱动器(2) 放大器(1) 遥控(1) 显示器(1) 电机(1) 驱动(1) 脉冲(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
GM71C4256A-60
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256A-80
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256AL-60
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256AL-80
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256ALSJ-10
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256ALSJ-60
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256ALSJ-70
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256ALSJ-80
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256ALZ-10
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256ALZ-60
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256ALZ-70
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256ALZ-80
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256ASJ-10
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256ASJ-60
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256ASJ-80
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256AZ-10
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256AZ-60
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256AZ-70
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256AZ-80
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256B-70
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256BJ-60
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256BJ-70
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256BL-80
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256BLJ-60
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256BLJ-70
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256BLJ-80
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256BLZ-60
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256BLZ-70
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256BLZ-80
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
![]() |
GM71C4256BZ-80
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 |
LG是什么品牌:LG(LG集团)是一家集化学能源、电子电器、通讯与服务等产业于一体的企业集团,由莲庵具仁会于1947年创立,总部位于韩国首尔。1958年成立了分公司金星社(LG电子)。2021年1月12日,2020年全球专利企业50强公布,LG电子位列第7。