品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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CMT2392F512
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT2392F512集成了32位ARM CortexTM-M4F内核和一颗超低功耗射频收发器,是一款高性能、超低功耗、适用于113至960 MHz无线应用的OOK,(G)FSK 和4(G)FSK | 无线 射频 | |||
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FTMP8040HPV-2R2MG-D
中文翻译 品牌: TAI-TECH |
Dimension (mm) : 8040; L(mm) : 8.8±0.4; W(mm) : 8.4±0.3; T(mm) : 3.8±0.2; Inductance (uH) : 2.20±20%; I sat (A) : 25; I rms (A) : 16; DCR (mΩ) typ. : | ||||
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FTMP8040HPV-R33MG-D
中文翻译 品牌: TAI-TECH |
Dimension (mm) : 8040; L(mm) : 8.8±0.4; W(mm) : 8.4±0.3; T(mm) : 3.8±0.2; Inductance (uH) : 0.33±20%; I sat (A) : 55; I rms (A) : 30; DCR (mΩ) typ. : | ||||
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L7805CD2T
中文翻译 品牌: UMW |
线性稳压器芯片 | 稳压器 | |||
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L7808CD2T
中文翻译 品牌: UMW |
线性稳压器芯片 | 稳压器 | |||
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L7812CD2T
中文翻译 品牌: UMW |
线性稳压器芯片 | 稳压器 | |||
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SN74LVC2G04DBVR
中文翻译 品牌: UMW |
逻辑集成电路 | 逻辑集成电路 | |||
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SN74LVC2G04DCKR
中文翻译 品牌: UMW |
逻辑集成电路 | 逻辑集成电路 | |||
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SN74LVC2G07DBVR
中文翻译 品牌: UMW |
逻辑集成电路 | 逻辑集成电路 | |||
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SN74LVC2G07DCKR
中文翻译 品牌: UMW |
逻辑集成电路 | 逻辑集成电路 | |||
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SN74LVC2G14DBVR
中文翻译 品牌: UMW |
逻辑集成电路 | 逻辑集成电路 | |||
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SN74LVC2G14DCKR
中文翻译 品牌: UMW |
逻辑集成电路 | 逻辑集成电路 | |||
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SN74LVC2G17DBVR
中文翻译 品牌: UMW |
逻辑集成电路 | 逻辑集成电路 | |||
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SN74LVC2G17DCKR
中文翻译 品牌: UMW |
逻辑集成电路 | 逻辑集成电路 | |||
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SN74LVC2G34DBVR
中文翻译 品牌: UMW |
逻辑集成电路 | 逻辑集成电路 | |||
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SN74LVC2G34DCKR
中文翻译 品牌: UMW |
逻辑集成电路 | 逻辑集成电路 | |||
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#A914BYW-1R2M=P3
中文翻译 品牌: MURATA |
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#A914BYW-2R2M=P3
中文翻译 品牌: MURATA |
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#A915AY-2R0M=P3
EDA模型
中文翻译 品牌: MURATA |
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#A921CY-2R2M=P3
中文翻译 品牌: MURATA |
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#A921CY-6R2M=P3
中文翻译 品牌: MURATA |
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#B952AS-H-2R7N=P3
中文翻译 品牌: MURATA |
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#B952AS-H-8R2N=P3
中文翻译 品牌: MURATA |
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#B953AS-2R7N=P3
中文翻译 品牌: MURATA |
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#B966AS-1R2N=P3
中文翻译 品牌: MURATA |
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#B966AS-2R7N=P3
中文翻译 品牌: MURATA |
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#B966AS-8R2N=P3
中文翻译 品牌: MURATA |
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#FSLB2520-100K=P2
中文翻译 品牌: MURATA |
Rated current is specified when the decrease of the initial inductance value at 10%. Or rated current is specified when temperature of the inductor i | ||||
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#FSLB2520-150K=P2
中文翻译 品牌: MURATA |
Rated current is specified when the decrease of the initial inductance value at 10%. Or rated current is specified when temperature of the inductor i | ||||
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#FSLB2520-1R0M=P2
中文翻译 品牌: MURATA |
Rated current is specified when the decrease of the initial inductance value at 10%. Or rated current is specified when temperature of the inductor i |