| 型号起始： | JS28F00AP30* (9) JS28F00AP30B* (4) JS28F00AP30E* (3) JS28F00AP30T* (2) |
| 所属品牌： | 不限 MICRON(6) NUMONYX(3) |
| 功能分类： | 不限 PC(3) 光电二极管(5) 内存集成电路(4) 闪存(5) 存储(3) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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JS28F00AP30BF
中文翻译 品牌: NUMONYX |
暂无描述 | 光电二极管 内存集成电路 闪存 | |||
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JS28F00AP30BF
中文翻译 品牌: MICRON |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） |
闪存 存储 | ||
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JS28F00AP30BFA
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 64MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 | ||
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JS28F00AP30EF
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 64MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 闪存 | ||
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JS28F00AP30EF
中文翻译 品牌: MICRON |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F00AP30TF
中文翻译 品牌: MICRON |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | |||
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JS28F00AP30TFA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC |
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