型号等于：	023 (1) 0230200L (1) 0230200LE3 (1) 0230300L (1) 0230400L (1) 0230400LE3 (1) 0230500L (1) 0230500LE3 (1) 0230600L (1) 0230600LE3 (1) 035 (1) 03508G2F (1) 03508GF (1) 03508GWFE3 (1) 03508HWF (1) 03508HWFE3 (1) 03508JWF (1) 03508JWFE3 (1) 03508KWF (1) 03510G2F (1) 03510GF (1) 03510GWFE3 (1) 03510GXFE3 (1) 03510HWFE3 (1) 03510HXFE3 (1) 03510JWF (1) 03510JXF (1) 03510KWF (1) 03510KXFE3 (1) 03512G2F (1) 03512GF (1)
型号起始：	0150SC-125* (1) 023* (1) 0230200L* (1) 0230200LE3* (1) 0230300L* (1) 0230400L* (1) 0230400LE3* (1) 0230500L* (1) 0230500LE3* (1) 0230600L* (1) 0230600LE3* (1) 035* (1) 03508G2F* (1) 03508GF* (1) 03508GWFE3* (1) 03508HWF* (1) 03508HWFE3* (1) 03508JWF* (1) 03508JWFE3* (1) 03508KWF* (1) 03510G2F* (1) 03510GF* (1) 03510GWFE3* (1) 03510GXFE3* (1) 03510HWFE3* (1) 03510HXFE3* (1) 03510JWF* (1) 03510JXF* (1) 03510KWF* (1) 03510KXFE3* (1) 03512G2F* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(531071)
功能分类：	不限测试(114702) 二极管(198339) 局域网(72570) 光电二极管(50272) 机械(16189) 振荡器(16234) 整流二极管(16317) 桥式整流二极管(12698) 齐纳二极管(35904) 温度补偿(9012) CD(9533) 瞬态抑制器(12105) ATM(4389) 异步传输模式(4389) 电视(9064) 栅(7961) 稳压二极管(5932) 内存集成电路(4700) 时钟(2813) 可编程逻辑(5440) 输出元件(2448) 电信(1553) 电信集成电路(1559) 继电器(973) 闪存(1338) 静态存储器(2730) 稳压器(1222) 现场可编程门阵列(1745) 晶体管(4339) 动态存储器(1092) 双倍数据速率(791) 石英晶振(973) 变容二极管(933) 超快恢复二极管(1511) 快速恢复二极管(2266) 压控振荡器(435) 栅极(618) 软恢复二极管(431) 软恢复能力电源(412) 稳流二极管(299) 衰减器(712) 开关(3249) 晶体(2536) 存储(514) 功率场效应晶体管(412) 脉冲(1041) 控制器(326) 蜂窝(369) 输入元件(197) 双极性晶体管(683) 高压(693)

MICROSEMI - 型号起始 - 双倍数据速率; 总记录数：791

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		W3E16M72SR200BC 中文翻译品牌: MICROSEMI	16MX72 DDR DRAM, 0.75ns, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3E16M72SR200BI 中文翻译品牌: MICROSEMI	16M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3E16M72SR200BM 中文翻译品牌: MICROSEMI	16MX72 DDR DRAM, 0.75ns, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3E16M72SR225BI 中文翻译品牌: MICROSEMI	16MX72 DDR DRAM, 0.75ns, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3E16M72SR225BM 中文翻译品牌: MICROSEMI	16M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3E16M72SR250BI 中文翻译品牌: MICROSEMI	16MX72 DDR DRAM, 0.75ns, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219	动态存储器双倍数据速率
		W3E232M16S-200STC 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E232M16S-200STCG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E232M16S-200STI 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E232M16S-200STIG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E232M16S-250STC 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E232M16S-250STCG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E232M16S-250STI 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E232M16S-250STIG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E232M16S-266STC 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66	动态存储器双倍数据速率光电二极管
		W3E232M16S-266STCG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E232M16S-266STI 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E232M16S-266STIG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E232M16S-400STC 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E232M16S-400STI 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E232M16S-400STIG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3E32M72SR-200SBC 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 32MX72, 0.8ns, CMOS, PBGA208, 16 X 25 MM, PLASTIC, BGA-208	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3E32M72SR-266SBC 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 32MX72, 0.75ns, CMOS, PBGA208, 16 X 25 MM, PLASTIC, BGA-208	时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3E32M72SR-266SBI 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 32MX72, 0.75ns, CMOS, PBGA208, 16 X 25 MM, PLASTIC, BGA-208	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3E64M16S-200NBC 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.8ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, 1.50 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-60	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3E64M16S-200NBI 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.8ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, 1.50 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-60	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3E64M16S-200NBM 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.8ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, 1.50 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-60	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3E64M16S-250NBC 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.8ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, 1.50 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-60	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3E64M16S-250NBM 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.8ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, 1.50 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-60	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3E64M16S-266NBC 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM, 64MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, 1.50 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-60	动态存储器双倍数据速率内存集成电路

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总300+条记录，每页显示30条记录分10页显示。

MICROSEMI是什么品牌：Microsemi Corporation为航空与国防、通信、数据中心与工业市场提供全面的半导体和系统解决方案产品组合。产品包括高性能和抗辐射模拟混合信号集成电路、FPGA、SoC 和 ASIC；电源管理产品；计时和同步设备以及精密时间解决方案、设定时间世界标准；语音处理设备；视频解决方案；离散式元件；企业储存和通信解决方案、安全技术与可扩展防篡改产品；以太网解决方案；以太网供电集成电路和中跨设备；以及定制设计能力与服务。 Microsemi现为 Microchip Technology Inc.的子公司。