型号等于：	023 (1) 0230200L (1) 0230200LE3 (1) 0230300L (1) 0230400L (1) 0230400LE3 (1) 0230500L (1) 0230500LE3 (1) 0230600L (1) 0230600LE3 (1) 035 (1) 03508G2F (1) 03508GF (1) 03508GWFE3 (1) 03508HWF (1) 03508HWFE3 (1) 03508JWF (1) 03508JWFE3 (1) 03508KWF (1) 03510G2F (1) 03510GF (1) 03510GWFE3 (1) 03510GXFE3 (1) 03510HWFE3 (1) 03510HXFE3 (1) 03510JWF (1) 03510JXF (1) 03510KWF (1) 03510KXFE3 (1) 03512G2F (1) 03512GF (1)
型号起始：	0150SC-125* (1) 023* (1) 0230200L* (1) 0230200LE3* (1) 0230300L* (1) 0230400L* (1) 0230400LE3* (1) 0230500L* (1) 0230500LE3* (1) 0230600L* (1) 0230600LE3* (1) 035* (1) 03508G2F* (1) 03508GF* (1) 03508GWFE3* (1) 03508HWF* (1) 03508HWFE3* (1) 03508JWF* (1) 03508JWFE3* (1) 03508KWF* (1) 03510G2F* (1) 03510GF* (1) 03510GWFE3* (1) 03510GXFE3* (1) 03510HWFE3* (1) 03510HXFE3* (1) 03510JWF* (1) 03510JXF* (1) 03510KWF* (1) 03510KXFE3* (1) 03512G2F* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(531071)
功能分类：	不限测试(114702) 二极管(198339) 局域网(72570) 光电二极管(50272) 机械(16189) 振荡器(16234) 整流二极管(16317) 桥式整流二极管(12698) 齐纳二极管(35904) 温度补偿(9012) CD(9533) 瞬态抑制器(12105) ATM(4389) 异步传输模式(4389) 电视(9064) 栅(7961) 稳压二极管(5932) 内存集成电路(4700) 时钟(2813) 可编程逻辑(5440) 输出元件(2448) 电信(1553) 电信集成电路(1559) 继电器(973) 闪存(1338) 静态存储器(2730) 稳压器(1222) 现场可编程门阵列(1745) 晶体管(4339) 动态存储器(1092) 双倍数据速率(791) 石英晶振(973) 变容二极管(933) 超快恢复二极管(1511) 快速恢复二极管(2266) 压控振荡器(435) 栅极(618) 软恢复二极管(431) 软恢复能力电源(412) 稳流二极管(299) 衰减器(712) 开关(3249) 晶体(2536) 存储(514) 功率场效应晶体管(412) 脉冲(1041) 控制器(326) 蜂窝(369) 输入元件(197) 双极性晶体管(683) 高压(693)

MICROSEMI - 型号起始 - 存储; 总记录数：4477

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1.5SMCJ110A 中文翻译品牌: MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN	可编程只读存储器局域网光电二极管
		15KP200A 中文翻译品牌: MICROSEMI	TRANSIENT ABSORPTION ZENER 瞬态吸收齐纳	二极管局域网可编程只读存储器
		15KP60A 中文翻译品牌: MICROSEMI	TRANSIENT ABSORPTION ZENER 瞬态吸收齐纳	瞬态抑制器二极管局域网可编程只读存储器
		5962-8959817MYA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, SOJ-32	静态存储器内存集成电路
		5962-8959818MZA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, DIP-32	输入元件静态存储器输出元件内存集成电路
		5962-8959819MTA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, FP-32	静态存储器内存集成电路
		5962-8959820MTA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, FP-32	静态存储器
		5962-8959820MUA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, LCC-32	静态存储器内存集成电路
		5962-8959820MYA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, SOJ-32	静态存储器内存集成电路
		5962-8959821MUA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, LCC-32	输入元件静态存储器输出元件内存集成电路
		5962-8959836MTA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, FP-32	静态存储器内存集成电路
		5962-8959837MYA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, SOJ-32	静态存储器内存集成电路
		5962-8959838MTA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, FP-32	静态存储器内存集成电路
		5962-8959838MZA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, DIP-32	静态存储器
		5962-9207803HTX 中文翻译品牌: MICROSEMI	SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, CDMA32, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	静态存储器内存集成电路
		5962-9207805HTX 中文翻译品牌: MICROSEMI	SRAM Module, 512KX8, 55ns, CMOS, CDMA32, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	静态存储器
		5962-9207809HXA 中文翻译品牌: MICROSEMI	SRAM Module, 512KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32	静态存储器内存集成电路
		5962-9207809HXC 中文翻译品牌: MICROSEMI	SRAM Module, 512KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32	静态存储器内存集成电路
		5962-9309102HYX 中文翻译品牌: MICROSEMI	EEPROM Module, 512KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CDIP32, DIP-32	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
		5962-9309103HYX 中文翻译品牌: MICROSEMI	EEPROM Module, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP32, DIP-32	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
		5962-9309104HYX 中文翻译品牌: MICROSEMI	EEPROM Module, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
		5962-9315401HXX 中文翻译品牌: MICROSEMI	EEPROM Module, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
		5962-9315402HXX 中文翻译品牌: MICROSEMI	EEPROM Module, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
		5962-9315501HYX 中文翻译品牌: MICROSEMI	EEPROM Module, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, DIP-32	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
		5962-9315502HYX 中文翻译品牌: MICROSEMI	EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, DIP-32	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
		5962-9315702HXC 中文翻译品牌: MICROSEMI	Multi-Port SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, CDIP32,	静态存储器内存集成电路
		5962-9315703HXA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Multi-Port SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS, CDIP32,	静态存储器内存集成电路
		5962-9315705HXA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Multi-Port SRAM Module, 256KX8, 55ns, CMOS, CDIP32,	静态存储器内存集成电路
		5962-9315706HXX 中文翻译品牌: MICROSEMI	SRAM Module, 256KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	静态存储器内存集成电路
		5962-9315708HXX 中文翻译品牌: MICROSEMI	SRAM Module, 256KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	静态存储器内存集成电路

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MICROSEMI是什么品牌：Microsemi Corporation为航空与国防、通信、数据中心与工业市场提供全面的半导体和系统解决方案产品组合。产品包括高性能和抗辐射模拟混合信号集成电路、FPGA、SoC 和 ASIC；电源管理产品；计时和同步设备以及精密时间解决方案、设定时间世界标准；语音处理设备；视频解决方案；离散式元件；企业储存和通信解决方案、安全技术与可扩展防篡改产品；以太网解决方案；以太网供电集成电路和中跨设备；以及定制设计能力与服务。 Microsemi现为 Microchip Technology Inc.的子公司。