| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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CF003-01
中文翻译 品牌: MIMIX |
Broadband Power GaAs MESFET Chips 宽带功率GaAs MESFET芯片 |
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CF003-01-000X
中文翻译 品牌: MIMIX |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-7 | 放大器 晶体管 | |||
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CF003-02
中文翻译 品牌: MIMIX |
GaAs Pseudomorphic HEMT and MESFET Chips 砷化镓假晶HEMT和MESFET芯片 |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | ||
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CF003-03
中文翻译 品牌: MIMIX |
GaAs Pseudomorphic HEMT and MESFET Chips 砷化镓假晶HEMT和MESFET芯片 |
晶体 晶体管 放大器 | ||
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CF003-03-000X
中文翻译 品牌: MIMIX |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-7 | 放大器 晶体管 | |||
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CF010-01
中文翻译 品牌: MIMIX |
Broadband Power GaAs MESFET Chips 宽带功率GaAs MESFET芯片 |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | ||
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CF010-01-BD
中文翻译 品牌: MIMIX |
暂无描述 | 晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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CF015-11
中文翻译 品牌: MIMIX |
Broadband Power GaAs MESFET Chip 宽带功率GaAs MESFET芯片 |
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CFC0301-P3
中文翻译 品牌: MIMIX |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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CFH2162-P3
中文翻译 品牌: MIMIX |
1.8 to 2.0 GHz + 36 dBm Power GaAs FET 1.8至2.0千兆赫+ 36 dBm的功率GaAs FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 局域网 | |||
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CFH2162-P5
中文翻译 品牌: MIMIX |
2.3 to 2.5 GHz +36 dBm Power GaAs FET 2.3至2.5 GHz +36 DBM功率GaAs FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 局域网 | |||
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CFK2062-P1
中文翻译 品牌: MIMIX |
800 to 900 MHz + 30 dBm Power GaAs FET 800至900兆赫+30 dBm的功率GaAs FET |
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CFK2062-P1-000T
中文翻译 品牌: MIMIX |
800 to 900 MHz + 30 dBm Power GaAs FET 800至900兆赫+30 dBm的功率GaAs FET |
晶体 射频场效应晶体管 | ||
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CFK2162-P1-000T
中文翻译 品牌: MIMIX |
800 to 900 MHz + 34 dBm Power GaAs FET 800至900兆赫+ 34 dBm的功率GaAs FET |
晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 放大器 |
Total:141
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