品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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V29C51004B-90T
中文翻译 品牌: MOSEL |
x8 Flash EEPROM
X8闪存EEPROM\n |
闪存 内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | ||
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V29C51004T
中文翻译 品牌: MOSEL |
4 MEGABIT 524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 4兆位524,288 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
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V29C51004T-70J
中文翻译 品牌: MOSEL |
x8 Flash EEPROM
X8闪存EEPROM\n |
闪存 内存集成电路 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | ||
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V29C51004T-70T
中文翻译 品牌: MOSEL |
x8 Flash EEPROM
X8闪存EEPROM\n |
闪存 内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | ||
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V29C51004T-90J
中文翻译 品牌: MOSEL |
x8 Flash EEPROM
X8闪存EEPROM\n |
闪存 内存集成电路 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | ||
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V29C51004T-90T
中文翻译 品牌: MOSEL |
x8 Flash EEPROM
X8闪存EEPROM\n |
闪存 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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V29C51400B
中文翻译 品牌: MOSEL |
4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 4兆位262,144 x 16位/ 524,288 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
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V29C51400T
中文翻译 品牌: MOSEL |
4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 4兆位262,144 x 16位/ 524,288 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
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V29LC51000
中文翻译 品牌: MOSEL |
512 KILOBIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 512千位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
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V29LC51001
中文翻译 品牌: MOSEL |
1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
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V29LC51002
中文翻译 品牌: MOSEL |
2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 2兆位262,144 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
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V436416S04V
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 16M x 64 HIGH PERFORMANCE PC100 UNBUFFERED SDRAM MODULE 3.3伏16M ×64的高性能PC100 SDRAM UNBUFFERED模块 |
动态存储器 PC | |||
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V436416S04VCTG-75
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 16M x 64 HIGH PERFORMANCE PC133 UNBUFFERED SDRAM MODULE 3.3伏16M ×64的高性能PC133 SDRAM UNBUFFERED模块 |
内存集成电路 动态存储器 PC 时钟 | ||
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V43644R04VCTG-10PC
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 4M x 64 HIGH PERFORMANCE PC100 UNBUFFERED SDRAM MODULE 3.3伏4M ×64的高性能PC100 SDRAM UNBUFFERED模块 |
内存集成电路 动态存储器 PC 时钟 | ||
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V43644R04VCTG-75
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 4M x 64 HIGH PERFORMANCE PC133 UNBUFFERED SDRAM MODULE 3.3伏4M ×64的高性能PC133 SDRAM UNBUFFERED模块 |
内存集成电路 动态存储器 PC 时钟 | ||
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V43644Y04VCTG-10PC
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 4M x 64 HIGH PERFORMANCE 100 MHZ SDRAM UNBUFFERED SODIMM 3.3伏4M ×64的高性能100兆赫SDRAM SODIMM UNBUFFERED |
内存集成电路 动态存储器 时钟 | ||
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V43644Y04VCTG-75
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 4M x 64 HIGH PERFORMANCE PC133 UNBUFFERED SODIMM 3.3伏4M ×64的高性能PC133 UNBUFFERED SODIMM |
PC | ||
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V43644Y04VTG-10PC
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 4M x 64 HIGH PERFORMANCE 100 MHZ SDRAM UNBUFFERED SODIMM 3.3伏4M ×64的高性能100兆赫SDRAM SODIMM UNBUFFERED |
内存集成电路 动态存储器 时钟 | ||
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V43648S04VCTG-10PC
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 8M x 64 HIGH PERFORMANCE PC100 UNBUFFERED SDRAM MODULE 3.3伏8M ×64的高性能PC100 SDRAM UNBUFFERED模块 |
内存集成电路 动态存储器 PC 时钟 | ||
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V43648S04VCTG-75
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 8M x 64 HIGH PERFORMANCE PC133 UNBUFFERED SDRAM MODULE 3.3伏8M ×64的高性能PC133 SDRAM UNBUFFERED模块 |
动态存储器 PC | |||
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V43648Y04VCTG-10PC
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 8M x 64 HIGH PERFORMANCE 100 MHZ SDRAM UNBUFFERED SODIMM 3.3伏8M ×64的高性能100兆赫SDRAM SODIMM UNBUFFERED |
内存集成电路 动态存储器 时钟 | ||
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V43648Y04VCTG-75
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 8M x 64 HIGH PERFORMANCE PC133 UNBUFFERED SODIMM 3.3伏8M ×64的高性能PC133 UNBUFFERED SODIMM |
内存集成电路 动态存储器 PC 时钟 | ||
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V43648Z04VCTG-75
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 8M x 64 HIGH PERFORMANCE PC133 UNBUFFERED SODIMM 3.3伏8M ×64的高性能PC133 UNBUFFERED SODIMM |
内存集成电路 动态存储器 PC 时钟 | ||
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V436516R04VATG-10PC
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 16M x 64 using 8M x 16 PC100 UNBUFFERED SDRAM MODULE 3.3伏16M ×64采用8M ×16的PC100 SDRAM UNBUFFERED模块 |
内存集成电路 动态存储器 PC 时钟 | ||
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V436516R04VATG-75
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 16M x 64 using 8M x 16 PC133 UNBUFFERED SDRAM MODULE 3.3伏16M ×64采用8M ×16的PC133 SDRAM UNBUFFERED模块 |
内存集成电路 动态存储器 PC 时钟 | ||
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V436516R04VL
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 16M x 64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM MODULE 3.3伏16M ×64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM模块 |
动态存储器 | |||
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V436516R04VXTG-10PCL
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 16M x 64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM MODULE 3.3伏16M ×64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM模块 |
动态存储器 | |||
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V436516R04VXTG-75L
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 16M x 64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM MODULE 3.3伏16M ×64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM模块 |
内存集成电路 动态存储器 时钟 | ||
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V436516R04VXTG-75PCL
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 16M x 64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM MODULE 3.3伏16M ×64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM模块 |
内存集成电路 动态存储器 时钟 | ||
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V436516S04VATG-75
中文翻译 品牌: MOSEL |
3.3 VOLT 16M x 64 HIGH PERFORMANCE PC133 UNBUFFERED SDRAM MODULE 3.3伏16M ×64的高性能PC133 SDRAM UNBUFFERED模块 |
动态存储器 PC |
MOSEL是什么品牌:Mosel Vitelic Corporation (MVC) 是一家成立于 1985 年的加利福尼亚州公司,从事存储器产品、集成电路和其他半导体器件的设计和开发业务。MVC 开发的 DRAM 组件包括使用最先进工艺技术的 128Mb/256Mb SDR、DDRI 和低功耗产品设计。MVC 开发的其他先进内存产品包括 256Mb/512Mb/1Gb DDRII 设计和非易失性闪存产品/工艺技术。MVC长期为茂德科技等客户提供各类存储器、集成电路及其他半导体产品的设计服务、销售相关工程支持。