品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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MS622424
中文翻译 品牌: MOSEL |
HIGH PERFORMANCE 8K x 24 BIT CMOS COLOR MAP 高性能8K ×24位CMOS彩色地图 |
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MS62256H-15NC
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K x 8 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM 32K ×8高速CMOS静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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MS62256H-35NC
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K x 8 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM 32K ×8高速CMOS静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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MS62256L-70FC
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K x 8 CMOS Static RAM 32K ×8 CMOS静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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MS62256L-70PC
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K x 8 CMOS Static RAM 32K ×8 CMOS静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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MS62256L-85FC
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K x 8 CMOS Static RAM 32K ×8 CMOS静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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MSS0617
中文翻译 品牌: MOSEL |
Variable pitch variable loudness 6 Voice ROM 变桨距变响度6语音ROM |
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MSS0618
中文翻译 品牌: MOSEL |
Transistor-less variable pitch 6 Voice ROM 晶体管少变桨距6语音ROM |
晶体 晶体管 | |||
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V29C31001B-70J
中文翻译 品牌: MOSEL |
1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 | ||
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V29C31001B-70P
中文翻译 品牌: MOSEL |
1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 光电二极管 | ||
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V29C31001B-70T
中文翻译 品牌: MOSEL |
1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 光电二极管 | ||
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V29C31001B-90J
中文翻译 品牌: MOSEL |
1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 | ||
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V29C31001B-90T
中文翻译 品牌: MOSEL |
1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 光电二极管 | ||
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V29C31001T-70J
中文翻译 品牌: MOSEL |
1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 | ||
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V29C31001T-70P
中文翻译 品牌: MOSEL |
1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 光电二极管 | ||
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V29C31001T-90J
中文翻译 品牌: MOSEL |
1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 | ||
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V29C31001T-90P
中文翻译 品牌: MOSEL |
1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 光电二极管 | ||
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V29C51000B-45P
中文翻译 品牌: MOSEL |
512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 512K位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 光电二极管 | ||
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V29C51000B-45T
中文翻译 品牌: MOSEL |
512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 512K位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 光电二极管 | ||
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V29C51000B-70J
中文翻译 品牌: MOSEL |
512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 512K位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 | ||
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V29C51000B-70P
中文翻译 品牌: MOSEL |
512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 512K位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 光电二极管 | ||
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V29C51000B-70T
中文翻译 品牌: MOSEL |
512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 512K位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 光电二极管 | ||
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V29C51000B-90P
中文翻译 品牌: MOSEL |
512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 512K位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 光电二极管 | ||
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V29C51000T-45J
中文翻译 品牌: MOSEL |
512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 512K位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 | ||
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V29C51000T-70J
中文翻译 品牌: MOSEL |
512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 512K位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 | ||
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V29C51000T-70T
中文翻译 品牌: MOSEL |
512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 512K位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 光电二极管 | ||
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V29C51000T-90J
中文翻译 品牌: MOSEL |
512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 512K位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 | ||
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V29C51000T-90P
中文翻译 品牌: MOSEL |
512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 512K位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 光电二极管 | ||
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V29C51000T-90T
中文翻译 品牌: MOSEL |
512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 512K位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 光电二极管 | ||
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V29C51001B-45J
中文翻译 品牌: MOSEL |
1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY |
内存集成电路 |
MOSEL是什么品牌:Mosel Vitelic Corporation (MVC) 是一家成立于 1985 年的加利福尼亚州公司,从事存储器产品、集成电路和其他半导体器件的设计和开发业务。MVC 开发的 DRAM 组件包括使用最先进工艺技术的 128Mb/256Mb SDR、DDRI 和低功耗产品设计。MVC 开发的其他先进内存产品包括 256Mb/512Mb/1Gb DDRII 设计和非易失性闪存产品/工艺技术。MVC长期为茂德科技等客户提供各类存储器、集成电路及其他半导体产品的设计服务、销售相关工程支持。