品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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MS62256H-15NC
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K x 8 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM 32K ×8高速CMOS静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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MS62256H-35NC
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K x 8 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM 32K ×8高速CMOS静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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MS62256L-70FC
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K x 8 CMOS Static RAM 32K ×8 CMOS静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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MS62256L-70PC
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K x 8 CMOS Static RAM 32K ×8 CMOS静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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MS62256L-85FC
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K x 8 CMOS Static RAM 32K ×8 CMOS静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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V61C31161024-12T
中文翻译 品牌: MOSEL |
64K x 16 HIGH SPEED STATIC RAM 64K ×16高速静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 输出元件 输入元件 | ||
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V61C518256-10R
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K X 8 HIGH SPEED STATIC RAM 32K ×8的高速静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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V61C518256-10T
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K X 8 HIGH SPEED STATIC RAM 32K ×8的高速静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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V61C518256-12R
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K X 8 HIGH SPEED STATIC RAM 32K ×8的高速静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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V61C518256-12T
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K X 8 HIGH SPEED STATIC RAM 32K ×8的高速静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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V61C518256-15T
中文翻译 品牌: MOSEL |
32K X 8 HIGH SPEED STATIC RAM 32K ×8的高速静态RAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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V62C1161024L
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM 超低功耗64K ×16的CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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V62C1161024L-100T
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM 超低功耗64K ×16的CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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V62C1161024L-120T
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM 超低功耗64K ×16的CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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V62C1161024L-70T
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM 超低功耗64K ×16的CMOS SRAM |
静态存储器 | ||
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V62C1161024L-85T
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM 超低功耗64K ×16的CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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V62C1161024LL-100T
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM 超低功耗64K ×16的CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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V62C1161024LL-120T
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM 超低功耗64K ×16的CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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V62C1161024LL-70T
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM 超低功耗64K ×16的CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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V62C1161024LL-85T
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM 超低功耗64K ×16的CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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V62C1162048L
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM 超低功耗128K ×16的CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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V62C1162048L(L)-100B
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM 超低功耗128K ×16的CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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V62C1162048L(L)-100M
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM 超低功耗128K ×16的CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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V62C1162048L(L)-120B
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM 超低功耗128K ×16的CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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V62C1162048L(L)-120M
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM 超低功耗128K ×16的CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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V62C1162048L(L)-70B
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM 超低功耗128K ×16的CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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V62C1162048L(L)-70M
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM 超低功耗128K ×16的CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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V62C1162048L(L)-85B
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM 超低功耗128K ×16的CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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V62C1162048L(L)-85M
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM 超低功耗128K ×16的CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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V62C1162048L-100B
中文翻译 品牌: MOSEL |
Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM 超低功耗128K ×16的CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 |
MOSEL是什么品牌:Mosel Vitelic Corporation (MVC) 是一家成立于 1985 年的加利福尼亚州公司,从事存储器产品、集成电路和其他半导体器件的设计和开发业务。MVC 开发的 DRAM 组件包括使用最先进工艺技术的 128Mb/256Mb SDR、DDRI 和低功耗产品设计。MVC 开发的其他先进内存产品包括 256Mb/512Mb/1Gb DDRII 设计和非易失性闪存产品/工艺技术。MVC长期为茂德科技等客户提供各类存储器、集成电路及其他半导体产品的设计服务、销售相关工程支持。