品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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29LV320BTC-70
中文翻译 品牌: Macronix |
32 BIT 4M X 8 / 2M X 16 ] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY 32位4M ×8 / 2M ×16 ]单电压3V仅限于Flash存储器 |
存储 | |||
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29LV400C-55R
中文翻译 品牌: Macronix |
4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY 4M- BIT [ 512K ×8 / 256K ×16 ]的CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 |
存储 | |||
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29LV400C-70
中文翻译 品牌: Macronix |
4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY 4M- BIT [ 512K ×8 / 256K ×16 ]的CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 |
存储 | |||
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29LV400C-90
中文翻译 品牌: Macronix |
4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY 4M- BIT [ 512K ×8 / 256K ×16 ]的CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 |
存储 | |||
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29LV640
中文翻译 品牌: Macronix |
flash memory FL灰内存 |
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29LV800BB-70
中文翻译 品牌: Macronix |
8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY 8M - BIT [ 1Mx8 / 512K X16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 |
存储 | |||
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29LV800BB-90
中文翻译 品牌: Macronix |
8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY 8M - BIT [ 1Mx8 / 512K X16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 |
存储 | |||
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29LV800BT-70
中文翻译 品牌: Macronix |
8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY 8M - BIT [ 1Mx8 / 512K X16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 |
存储 | |||
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29LV800BT-90
中文翻译 品牌: Macronix |
8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY 8M - BIT [ 1Mx8 / 512K X16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 |
存储 | |||
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29SL800CB-90
中文翻译 品牌: Macronix |
8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 1.8V ONLY FLASH MEMORY 8M - BIT [ 1Mx8 / 512K X16 ] CMOS单电压仅1.8V闪存 |
闪存 | |||
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29SL800CT-90
中文翻译 品牌: Macronix |
8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 1.8V ONLY FLASH MEMORY 8M - BIT [ 1Mx8 / 512K X16 ] CMOS单电压仅1.8V闪存 |
闪存 | |||
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AN158
中文翻译 品牌: Macronix |
Serial-Data Interface Chip Supplies Bipolar Voltages 串行数据接口芯片供应双极性电压 |
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IMX29F002BPI-70
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY |
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IMX29F002BTI-70
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY |
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IMX29F002TQI-70
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY |
闪存 存储 内存集成电路 | |||
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KH25L1635DMC-10G
中文翻译 品牌: Macronix |
Flash Memory | ||||
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M29F002
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY |
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MAX23L1610MC-70
中文翻译 品牌: Macronix |
MASK ROM, 1MX16, 70ns, PDSO44 | 有原始数据的样本ROM 光电二极管 | |||
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MAX23L1610MI-12G
中文翻译 品牌: Macronix |
MASK ROM, 1MX16, 120ns, PDSO44 | 有原始数据的样本ROM 光电二极管 内存集成电路 | |||
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MAX23L1610RC-12
中文翻译 品牌: Macronix |
MASK ROM, 1MX16, 120ns, PDSO48 | 有原始数据的样本ROM 光电二极管 | |||
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MAX23L1610TC-10G
中文翻译 品牌: Macronix |
MASK ROM, 1MX16, 100ns, PDSO48 | 有原始数据的样本ROM 光电二极管 | |||
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MAX23L1610TC-15G
中文翻译 品牌: Macronix |
MASK ROM, 1MX16, 150ns, PDSO48 | 有原始数据的样本ROM 光电二极管 | |||
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MAX23L1610TC-90
中文翻译 品牌: Macronix |
MASK ROM, 1MX16, 90ns, PDSO48 | 有原始数据的样本ROM 光电二极管 内存集成电路 | |||
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MAX27L2000
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256Kx8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256Kx8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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MTE9094N5
中文翻译 品牌: Macronix |
5mm Infrared Emitter 5毫米红外发射器 |
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MX10C80500PI
中文翻译 品牌: Macronix |
Microcontroller, 8-Bit, MROM, 8051 CPU, 40MHz, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 | 时钟 微控制器 光电二极管 外围集成电路 | |||
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MX10C80500QC
中文翻译 品牌: Macronix |
Microcontroller, 8-Bit, MROM, 8051 CPU, 40MHz, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | 时钟 微控制器 外围集成电路 | |||
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MX10C8050PC
中文翻译 品牌: Macronix |
Microcontroller, 8-Bit, MROM, 40MHz, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 | 时钟 微控制器 光电二极管 外围集成电路 | |||
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MX10C8050QC
中文翻译 品牌: Macronix |
Microcontroller, 8-Bit, MROM, 40MHz, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | 时钟 微控制器 外围集成电路 | |||
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MX10C8050QI
中文翻译 品牌: Macronix |
Microcontroller, 8-Bit, MROM, 40MHz, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | 时钟 微控制器 外围集成电路 |
Macronix是什么品牌:旺宏电子为全球非挥发性记忆体整合元件领导厂商,提供跨越广泛规格及容量的ROM唯读记忆体、NOR型快闪记忆体以及NAND型快闪记忆体解决方案。旺宏电子以世界级的研发与制造能力,提供最高品质、创新及具备高性能表现的产品,以供客户应用于消费、通讯、电脑、工业、汽车电子、网通及其他等领域。
旺宏电子于1989 年创立于台湾新竹科学园区,自成立以来,即持续落实自有产品的竞争优势,并不断提昇生产制造能力,以提供客户高品质的产品与服务。因此,成功地与世界级大厂建立长期而互惠的策略伙伴关係。旺宏秉持高标准公司治理,致力维护投资人关係,并积极遂行企业社会责任,也获颁上市上柜公司治理制度评量认证的肯定,更成为园区第一家通过企业社会责任管理系统(SA 8000)验证之半导体公司。
旺宏电子著重研发,历年发表的技术论文,持续入选IEDM及ISSCC等多项国际学术会议。旺宏电子更拥有大量优质的国际关键技术及专利等智慧财产权,并与全球高科技业界领导厂商成立技术合作联盟,共同进行相变化记忆体先驱技术的研究;另外,旺宏电子也领先发表全球首篇Flash前瞻技术之BE-SONOS?论文,皆是为了提供次世代非挥发性记忆体的解决方案。