品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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27C1024-15
中文翻译 品牌: Macronix |
1M-BIT [128K x 8/64K x 16] CMOS EPROM 1M - BIT [ 128K ×8 / 64K ×16 ]的CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C1024-55
中文翻译 品牌: Macronix |
1M-BIT [128K x 8/64K x 16] CMOS EPROM 1M - BIT [ 128K ×8 / 64K ×16 ]的CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C1024-85
中文翻译 品牌: Macronix |
1M-BIT [128K x 8/64K x 16] CMOS EPROM 1M - BIT [ 128K ×8 / 64K ×16 ]的CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C1100
中文翻译 品牌: Macronix |
1M-BIT [128K x 8/64K x 16] CMOS EPROM 1M - BIT [ 128K ×8 / 64K ×16 ]的CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C1610-10
中文翻译 品牌: Macronix |
16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS OTP ROM 16M - BIT [ 2M ×8 / 1M ×16 ]的CMOS OTP ROM |
OTP只读存储器 | |||
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27C1610-12
中文翻译 品牌: Macronix |
16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS OTP ROM 16M - BIT [ 2M ×8 / 1M ×16 ]的CMOS OTP ROM |
OTP只读存储器 | |||
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27C2000
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2000-10
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2000-12
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2000-15
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2000-35
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2000-45
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2000-55
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2000-70
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2000-90
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2000A-10
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2000A-12
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2000A-15
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2000A-90
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256K x 8] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2048
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256Kx8/128x16] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256Kx8 / 128x16 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2100-12
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256Kx8/128x16] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256Kx8 / 128x16 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2100-15
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256Kx8/128x16] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256Kx8 / 128x16 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2100-70
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256Kx8/128x16] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256Kx8 / 128x16 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C2100-90
中文翻译 品牌: Macronix |
2M-BIT [256Kx8/128x16] CMOS EPROM 2M- BIT [ 256Kx8 / 128x16 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C256-10
中文翻译 品牌: Macronix |
256K-BIT [32K x 8] CMOS EPROM 256K - BIT [ 32K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C256-12
中文翻译 品牌: Macronix |
256K-BIT [32K x 8] CMOS EPROM 256K - BIT [ 32K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C256-15
中文翻译 品牌: Macronix |
256K-BIT [32K x 8] CMOS EPROM 256K - BIT [ 32K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C256-45
中文翻译 品牌: Macronix |
256K-BIT [32K x 8] CMOS EPROM 256K - BIT [ 32K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C256-55
中文翻译 品牌: Macronix |
256K-BIT [32K x 8] CMOS EPROM 256K - BIT [ 32K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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27C256-70
中文翻译 品牌: Macronix |
256K-BIT [32K x 8] CMOS EPROM 256K - BIT [ 32K ×8 ] CMOS EPROM |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 |
Macronix是什么品牌:旺宏电子为全球非挥发性记忆体整合元件领导厂商,提供跨越广泛规格及容量的ROM唯读记忆体、NOR型快闪记忆体以及NAND型快闪记忆体解决方案。旺宏电子以世界级的研发与制造能力,提供最高品质、创新及具备高性能表现的产品,以供客户应用于消费、通讯、电脑、工业、汽车电子、网通及其他等领域。
旺宏电子于1989 年创立于台湾新竹科学园区,自成立以来,即持续落实自有产品的竞争优势,并不断提昇生产制造能力,以提供客户高品质的产品与服务。因此,成功地与世界级大厂建立长期而互惠的策略伙伴关係。旺宏秉持高标准公司治理,致力维护投资人关係,并积极遂行企业社会责任,也获颁上市上柜公司治理制度评量认证的肯定,更成为园区第一家通过企业社会责任管理系统(SA 8000)验证之半导体公司。
旺宏电子著重研发,历年发表的技术论文,持续入选IEDM及ISSCC等多项国际学术会议。旺宏电子更拥有大量优质的国际关键技术及专利等智慧财产权,并与全球高科技业界领导厂商成立技术合作联盟,共同进行相变化记忆体先驱技术的研究;另外,旺宏电子也领先发表全球首篇Flash前瞻技术之BE-SONOS?论文,皆是为了提供次世代非挥发性记忆体的解决方案。