品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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MX28F3204C3BXBI-70
中文翻译 品牌: Macronix |
Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 10 X 8 X 1.40 MM, 0.80 MM PITCH, MO-219, CSP-66 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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MX28F3204C3BXBI-90
中文翻译 品牌: Macronix |
Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 10 X 8 X 1.40 MM, 0.80 MM PITCH, MO-219, CSP-66 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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MX28F3204C3TXBI-70
中文翻译 品牌: Macronix |
Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 10 X 8 X 1.40 MM, 0.80 MM PITCH, MO-219, CSP-66 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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MX28F3204C3TXBI-90
中文翻译 品牌: Macronix |
Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 10 X 8 X 1.40 MM, 0.80 MM PITCH, MO-219, CSP-66 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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MX66C1024
中文翻译 品牌: Macronix |
5V Low Power CMOS SRAM 128 x 8 Bit 5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位 |
静态存储器 | |||
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MX66C1024MC-10
中文翻译 品牌: Macronix |
5V Low Power CMOS SRAM 128 x 8 Bit 5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位 |
静态存储器 | |||
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MX66C1024MC-70
中文翻译 品牌: Macronix |
5V Low Power CMOS SRAM 128 x 8 Bit 5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位 |
静态存储器 | |||
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MX66C1024MI-10
中文翻译 品牌: Macronix |
5V Low Power CMOS SRAM 128 x 8 Bit 5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位 |
静态存储器 | |||
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MX66C1024MI-70
中文翻译 品牌: Macronix |
5V Low Power CMOS SRAM 128 x 8 Bit 5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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MX66C1024SC-10
中文翻译 品牌: Macronix |
5V Low Power CMOS SRAM 128 x 8 Bit 5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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MX66C1024SC-70
中文翻译 品牌: Macronix |
5V Low Power CMOS SRAM 128 x 8 Bit 5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位 |
静态存储器 | |||
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MX66C1024SI-10
中文翻译 品牌: Macronix |
5V Low Power CMOS SRAM 128 x 8 Bit 5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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MX66C1024SI-70
中文翻译 品牌: Macronix |
5V Low Power CMOS SRAM 128 x 8 Bit 5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位 |
静态存储器 | |||
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MX66C1024TC-10
中文翻译 品牌: Macronix |
5V Low Power CMOS SRAM 128 x 8 Bit 5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位 |
静态存储器 | |||
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MX66C1024TC-70
中文翻译 品牌: Macronix |
5V Low Power CMOS SRAM 128 x 8 Bit 5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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MX66C1024TI-10
中文翻译 品牌: Macronix |
5V Low Power CMOS SRAM 128 x 8 Bit 5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位 |
静态存储器 | |||
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MX66C1024TI-70
中文翻译 品牌: Macronix |
5V Low Power CMOS SRAM 128 x 8 Bit 5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位 |
静态存储器 | |||
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MX66C256
中文翻译 品牌: Macronix |
Very Low Power 32k x 8 CMOS SRAM 超低功耗的32k ×8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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MX66C256MC-10
中文翻译 品牌: Macronix |
Very Low Power 32k x 8 CMOS SRAM 超低功耗的32k ×8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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MX66C256MC-70
中文翻译 品牌: Macronix |
Very Low Power 32k x 8 CMOS SRAM 超低功耗的32k ×8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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MX66C256MI-10
中文翻译 品牌: Macronix |
Very Low Power 32k x 8 CMOS SRAM 超低功耗的32k ×8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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MX66C256MI-70
中文翻译 品牌: Macronix |
Very Low Power 32k x 8 CMOS SRAM 超低功耗的32k ×8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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MX66C256TC-10
中文翻译 品牌: Macronix |
Very Low Power 32k x 8 CMOS SRAM 超低功耗的32k ×8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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MX66C256TC-70
中文翻译 品牌: Macronix |
Very Low Power 32k x 8 CMOS SRAM 超低功耗的32k ×8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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MX66C256TI-10
中文翻译 品牌: Macronix |
Very Low Power 32k x 8 CMOS SRAM 超低功耗的32k ×8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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MX66C256TI-70
中文翻译 品牌: Macronix |
Very Low Power 32k x 8 CMOS SRAM 超低功耗的32k ×8 CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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MX66LV2000PC-100
中文翻译 品牌: Macronix |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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MX66LV2000PC-15
中文翻译 品牌: Macronix |
Standard SRAM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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MX66LV2000PC-25
中文翻译 品牌: Macronix |
Standard SRAM, 512KX8, 250ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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MX66LV2000PC-70
中文翻译 品牌: Macronix |
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 |
Macronix是什么品牌:旺宏电子为全球非挥发性记忆体整合元件领导厂商,提供跨越广泛规格及容量的ROM唯读记忆体、NOR型快闪记忆体以及NAND型快闪记忆体解决方案。旺宏电子以世界级的研发与制造能力,提供最高品质、创新及具备高性能表现的产品,以供客户应用于消费、通讯、电脑、工业、汽车电子、网通及其他等领域。
旺宏电子于1989 年创立于台湾新竹科学园区,自成立以来,即持续落实自有产品的竞争优势,并不断提昇生产制造能力,以提供客户高品质的产品与服务。因此,成功地与世界级大厂建立长期而互惠的策略伙伴关係。旺宏秉持高标准公司治理,致力维护投资人关係,并积极遂行企业社会责任,也获颁上市上柜公司治理制度评量认证的肯定,更成为园区第一家通过企业社会责任管理系统(SA 8000)验证之半导体公司。
旺宏电子著重研发,历年发表的技术论文,持续入选IEDM及ISSCC等多项国际学术会议。旺宏电子更拥有大量优质的国际关键技术及专利等智慧财产权,并与全球高科技业界领导厂商成立技术合作联盟,共同进行相变化记忆体先驱技术的研究;另外,旺宏电子也领先发表全球首篇Flash前瞻技术之BE-SONOS?论文,皆是为了提供次世代非挥发性记忆体的解决方案。