NANOAMP - 型号起始; 总记录数：372

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		N08T1630C2BT-70 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BT2-55 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BT2-70 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BZ 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BZ-55 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BZ-55I 中文翻译品牌: NANOAMP	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		N08T1630C2BZ-70 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BZ-70I 中文翻译品牌: NANOAMP	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		N08T1630C2BZ2 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BZ2-55 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BZ2-55I 中文翻译品牌: NANOAMP	暂无描述	静态存储器
		N08T1630C2BZ2-70 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630CXB 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N16D1618LPA 中文翻译品牌: NANOAMP	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronous DRAM 512K × 16位× 2 ，银行的低功耗同步DRAM	动态存储器
		N16D1618LPAC2-10I 中文翻译品牌: NANOAMP	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronous DRAM 512K × 16位× 2 ，银行的低功耗同步DRAM	动态存储器
		N16D1618LPAC2-10IC 中文翻译品牌: NANOAMP	DRAM	动态存储器
		N16D1618LPAC2-60I 中文翻译品牌: NANOAMP	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronous DRAM 512K × 16位× 2 ，银行的低功耗同步DRAM	动态存储器
		N16D1618LPAC2-75C 中文翻译品牌: NANOAMP	DRAM	动态存储器
		N16D1618LPAC2-75I 中文翻译品牌: NANOAMP	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronous DRAM 512K × 16位× 2 ，银行的低功耗同步DRAM	动态存储器
		N16D1618LPAT2-10I 中文翻译品牌: NANOAMP	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronous DRAM 512K × 16位× 2 ，银行的低功耗同步DRAM	动态存储器
		N16D1618LPAT2-60I 中文翻译品牌: NANOAMP	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronous DRAM 512K × 16位× 2 ，银行的低功耗同步DRAM	动态存储器
		N16D1618LPAT2-75I 中文翻译品牌: NANOAMP	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronous DRAM 512K × 16位× 2 ，银行的低功耗同步DRAM	动态存储器
		N16D1618LPAZ2-10C 中文翻译品牌: NANOAMP	DRAM	动态存储器
		N16D1618LPAZ2-10I 中文翻译品牌: NANOAMP	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronous DRAM 512K × 16位× 2 ，银行的低功耗同步DRAM	动态存储器
		N16D1618LPAZ2-75I 中文翻译品牌: NANOAMP	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronous DRAM 512K × 16位× 2 ，银行的低功耗同步DRAM	动态存储器
		N16D1618LPAZ2-80I 中文翻译品牌: NANOAMP	DRAM	动态存储器
		N16D1625LPAT2-10I 中文翻译品牌: NANOAMP	DRAM,	时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
		N16D1625LPAT2-75I 中文翻译品牌: NANOAMP	DRAM,	动态存储器
		N16D1633LPA 中文翻译品牌: NANOAMP	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronous DRAM 512K × 16位× 2 ，银行的低功耗同步DRAM	动态存储器
		N16D1633LPAC-60C 中文翻译品牌: NANOAMP	DRAM	动态存储器

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型号起始：	ES62UL25* (5) N01L0818* (2) N01L083W* (13) N01L1618* (10) N01L163W* (19) N01M0818* (5) N01M083W* (3) N02L083W* (9) N02L1618* (10) N02L163W* (19) N02M0818* (11) N02M083W* (5) N04L1618* (6) N04L1630* (2) N04L163W* (17) N04M1618* (7) N04M163W* (4) N04Q1612* (21) N04Q1618* (22) N04Q1625* (21) N04Q1630* (21) N04Q16YY* (1) N08L083W* (3) N08L1618* (3) N08L163W* (9) N08M1618* (1) N08M163W* (6) N08T1630* (28) N16D1618* (13) N16D1625* (2) N16D1633* (16)
所属品牌：	不限 NANOAMP(372)
功能分类：	不限静态存储器(301) 动态存储器(65) 医疗(35) 光电二极管(51) 内存集成电路(85) 双倍数据速率(21) 存储(27) 时钟(11)