品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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N04L163WC1AB
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 | |||
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N04L163WC1AB-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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N04L163WC1AB1
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 | |||
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N04L163WC1AB1-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 | |||
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N04L163WC1AT
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 | |||
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N04L163WC1AT-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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N04L163WC1AT2
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 | |||
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N04L163WC1AT2-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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N04L163WC1CT1-55IL
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N04L163WC1CZ1-55IL
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N04L163WC2A
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K 】 16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N04L163WC2AB
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K 】 16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N04L163WC2AB2
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K 】 16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N04L163WC2AT
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K 】 16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N04L163WC2AT-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N04L163WC2AT2
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K 】 16 bit 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N04M1618L1A
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx16 bit 4Mb的超低功耗异步医疗CMOS SRAM 256Kx16位 |
医疗 静态存储器 | |||
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N04M1618L1AB
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx16 bit 4Mb的超低功耗异步医疗CMOS SRAM 256Kx16位 |
医疗 静态存储器 | |||
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N04M1618L1AB-85I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx16 bit 4Mb的超低功耗异步医疗CMOS SRAM 256Kx16位 |
医疗 静态存储器 | |||
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N04M1618L1AD
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx16 bit 4Mb的超低功耗异步医疗CMOS SRAM 256Kx16位 |
医疗 静态存储器 | |||
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N04M1618L1AD-85I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx16 bit 4Mb的超低功耗异步医疗CMOS SRAM 256Kx16位 |
医疗 静态存储器 | |||
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N04M1618L1AT
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx16 bit 4Mb的超低功耗异步医疗CMOS SRAM 256Kx16位 |
医疗 静态存储器 | |||
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N04M1618L1AT-85I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx16 bit 4Mb的超低功耗异步医疗CMOS SRAM 256Kx16位 |
医疗 静态存储器 | |||
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N04M163WL1A
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx16 bit 4Mb的超低功耗异步医疗CMOS SRAM 256Kx16位 |
医疗 静态存储器 | |||
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N04M163WL1AB-100I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N04M163WL1AB-100I-TR
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N04M163WL1AT-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N04Q1612C2BB-15C
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM w/ Dual Vcc and VccQ for Ultimate Power Reduction 256K】16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 | |||
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N04Q1612C2BB-15I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM w/ Dual Vcc and VccQ for Ultimate Power Reduction 256K】16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 | |||
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N04Q1612C2BB-70C
中文翻译 品牌: NANOAMP |
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM w/ Dual Vcc and VccQ for Ultimate Power Reduction 256K】16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS |
静态存储器 |