型号等于:2N7002K (46) 2N7002K1 (1) 2N7002KA (4) 2N7002KB (3) 2N7002KC (2) 2N7002KD (1) 2N7002KE (1) 2N7002KG (1) 2N7002KL (2) 2N7002KM (2) 2N7002KQ (1) 2N7002KS (1) 2N7002KT (5) 2N7002KU (2) 2N7002KV (2) 2N7002KW (7)
型号起始:2N7002K* (294) 2N7002K * (1) 2N7002K(* (1) 2N7002K-* (112) 2N7002K1* (1) 2N7002K2* (1) 2N7002K3* (1) 2N7002K7* (1) 2N7002KA* (8) 2N7002KB* (6) 2N7002KC* (12) 2N7002KD* (26) 2N7002KE* (1) 2N7002KF* (1) 2N7002KG* (4) 2N7002KH* (1) 2N7002KL* (7) 2N7002KM* (2) 2N7002KP* (3) 2N7002KQ* (4) 2N7002KS* (4) 2N7002KT* (15) 2N7002KU* (3) 2N7002KV* (2) 2N7002KW* (19) 2N7002K_* (12)
所属品牌:不限 PANJIT(117) MCC(26) YANGJIE(14) RECTRON(10) DIODES(8) FORMOSA(8) ONSEMI(7) SECOS(7) VISHAY(7) GOOD-ARK(6) KEC(6) UTC(6) CJ(5) LEIDITECH(5) FAIRCHILD(4) NXP(4) RUILON(4) WEITRON(4) DIOTEC(3) HOTTECH(3) FOSHAN(2) HY(2) NCEPOWER(2) SUPERTEX(2) COMCHIP(1) HC(1) KEXIN(1) LGE(1) NEXPERIA(1) ROCHESTER(1) SILIKRON(1)
功能分类:不限 晶体(40) 晶体管(34) 开关(45) 光电二极管(52) PC(23) 小信号场效应晶体管(13) (6) 场效应晶体管(3) 栅极(2)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
2N7002K
中文翻译 品牌: TYSEMI
Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance
低导通电阻: RDS ( ON )低栅极阈值电压低输入电容
晶体 栅极 晶体管 开关 光电二极管 PC
2N7002K
中文翻译 品牌: RECTRON
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 1.7 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Vgs(
2N7002KB
中文翻译 品牌: VBSEMI
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):250mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):3.3Ω 10V,200mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):300mW;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA;
2N7002KB
中文翻译 品牌: RECTRON
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.34 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 30 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Polarity : N-Channel;Mounting Style :
2N7002KBS3
中文翻译 品牌: RECTRON
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.2 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 0.3 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.2 W;Vgs(th) (typ) : 1.5 V;Input Capacitance
2N7002KBV
中文翻译 品牌: RECTRON
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.34 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 30 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Polarity : N-Channel;Mounting Style :
2N7002KG
中文翻译 品牌: SECOS
N-Ch Small Signal MOSFET with Gate Protection
N沟道小信号MOSFET和栅极保护
栅极
2N7002KG
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical
漏源电压Vdss(V):63V;额定电流Id(A):300mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):7.5Ω 5V,50mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):350mW;栅源耐压Vgs(V):2.4V 250μA;
2N7002KS6
中文翻译 品牌: RECTRON
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.25 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1500 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 80 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Vgs(
2N7002KV
中文翻译 品牌: RECTRON
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ
Total:101
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