| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N7002W
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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2N7002W
中文翻译 品牌: CJ |
SOT-323 | |||
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2N7002W
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N−Channel, SC−70 小信号MOSFET 60 V 340 mA时，单N通道， SC- 70 |
晶体 小信号场效应晶体管 | ||
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2N7002W
中文翻译 品牌: MCC |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002W-13
中文翻译 品牌: DIODES |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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2N7002W-7
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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2N7002W-7-F
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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2N7002W-TP
中文翻译 品牌: MCC |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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2N7002W-TP-HF
中文翻译 品牌: MCC |
Small Signal Field-Effect Transistor, | 晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2N7002WT1G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N−Channel, SC−70 小信号MOSFET 60 V 340 mA时，单N通道， SC- 70 |
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2N7002WT3G
中文翻译 品牌: ONSEMI |
310mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN | 开关 光电二极管 晶体管 | ||
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2N7002W_05
中文翻译 品牌: PANJIT |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002W_08
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002W_1
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002W_10
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002W_11
中文翻译 品牌: MCC |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002W_13
中文翻译 品牌: MCC |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002W_R1_00001
中文翻译 品牌: PANJIT |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):115mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):5Ω 10V,500mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):200mW;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA; | 栅 | |||
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2N7002W
中文翻译 品牌: LGE |
场效应晶体管 | 晶体管 场效应晶体管 |
Total:191
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