品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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NCE01H10
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01H10D
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01H11
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01H13
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01H13D
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01H14
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET NCE N沟道增强型功率MOSFET |
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NCE01H16
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01ND03S
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结 | ||||
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NCE01NP03S
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的12V~100VComplementary(N、P型互补式)MOSFET产品,是通过将P型与N型Trench功率MOSFET产品分别以高、低边互补配置的方式集成至单个封装中,极大程度上 | ||||
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NCE01P03S*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P05S*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P13*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P13I
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P13K*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P15K
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P18*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P18D*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P18K
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
类型:P沟道;元器件封装:TO-252-2; | ||||
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NCE01P18K*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P18L*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P30*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P30D*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P30I*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P30K
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
漏源电压Vdss(V):-100V;额定电流Id(A):-30A;类型:P-Channel;栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):0;元器件封装:TO-252; | 栅 | |||
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NCE01P30K*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P30L*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE01P35K
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE0202M
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE0202ZA
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE0203S
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 |
NCEPOWER是什么品牌:无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,注册资本为21,300万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人,其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。