品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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NCE1502R
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1503S
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
类型:N沟道;元器件封装:8-SOIC; | ||||
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NCE1504R
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1505S
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1507AK
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1512IA
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1520
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1520K
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1520KA
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1540AD
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1540AF
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1540K
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1540KA
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1550
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1550F
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1570
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE1579
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET NCE N沟道增强型功率MOSFET |
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NCE1579C
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE15GD120T
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
1200V, 15A, Trench NPT IGBT | 双极性晶体管 | |||
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NCE15GD135T
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
1350V, 15A, Trench NPT IGBT | 双极性晶体管 | |||
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NCE15H10
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE15H10A
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSFET,双通道MOSFET,IGBT,上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中,车规级功率MOS | 双极性晶体管 | |||
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NCE15P25*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE15P25I*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE15P25J
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE15P25JI
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE15P25JK*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE15P30
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE15P30K
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE15T60BD
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(InjectionEnhance,IE)与场截止(FieldStop,FS)技术,新洁能IGBT系列产品在提供行业 | 双极性晶体管 |
NCEPOWER是什么品牌:无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,注册资本为21,300万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人,其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。