型号等于：	20N65C3 (1) 2N7002 (1) 2N7002K (1) 2N7002K * (1) A2N7002K (1) BSS123K* (1) BSS138 (1) BSS138K (1) NCE0102 (1) NCE0102A (1) NCE0102B (1) NCE0102M (1) NCE0102Z (1) NCE0103 (1) NCE0103M (1) NCE0103Y (1) NCE0104AN (1) NCE0104S (1) NCE0105M (1) NCE0106AR (1) NCE0106R (1) NCE0106Z (1) NCE0107AK (1) NCE0108AS (1) NCE0110AK (1) NCE0110AS (1) NCE0110K (1) NCE0115AK (1) NCE0115K (1) NCE0117 (1) NCE0117AK (1)
型号起始：	20N65C3* (1) 2N7002* (1) 2N7002K* (1) 2N7002K ** (1) A2N7002K* (1) BSS123K** (1) BSS138* (1) BSS138K* (1) MBR20100C* (1) NCE0102* (1) NCE0102A* (1) NCE0102B* (1) NCE0102E * (1) NCE0102M* (1) NCE0102Z* (1) NCE0103* (1) NCE0103M* (1) NCE0103Y* (1) NCE0104AN* (1) NCE0104S* (1) NCE0105M* (1) NCE0106AR* (1) NCE0106R* (1) NCE0106Z* (1) NCE0107AK* (1) NCE0108AS* (1) NCE0110AK* (1) NCE0110AS* (1) NCE0110K* (1) NCE0115AK* (1) NCE0115K* (1)
所属品牌：	不限 NCEPOWER(1674)
功能分类：	不限开关(612) 栅(320) 栅极(309) 双极性晶体管(232) 二极管(93) 局域网(1) 光电二极管(3) 晶体(2) 晶体管(2) PC(1)

NCEPOWER - 型号起始; 总记录数：1889

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		NCE15TD120BD 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同	开关双极性晶体管
		NCE15TD120BF 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同	开关双极性晶体管
		NCE15TD120BT 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同	开关双极性晶体管
		NCE15TD120LP 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同	开关双极性晶体管
		NCE15TD120LT 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同	开关双极性晶体管
		NCE15TD135LP 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同	开关双极性晶体管
		NCE15TD135LT 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同	开关双极性晶体管
		NCE15TD60B 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE15TD60BD 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE15TD60BF 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE15TD60BP 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE15TD60BT 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE15TD65BF 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE15TD65BP 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE15TD65BT 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE1608N 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE160ED120VTP 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同	开关双极性晶体管
		NCE160ED120VTP4 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同	开关双极性晶体管
		NCE160ED65VTP 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE160ED65VTP4 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE160ED75VTP 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE160ED75VTP4 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE16P07J 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE16P40Q 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE1805S 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE1810AK 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE1826K 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE18ND11U* 中文翻译品牌: NCEPOWER	????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET产品，通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中，极大程度上优化了产品结
		NCE2003 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的12V~100VComplementary（N、P型互补式）MOSFET产品，是通过将P型与N型Trench功率MOSFET产品分别以高、低边互补配置的方式集成至单个封装中，极大程度上
		NCE2004NE* 中文翻译品牌: NCEPOWER	????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET产品，通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中，极大程度上优化了产品结

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NCEPOWER是什么品牌：无锡新洁能股份有限公司（以下简称“公司”）成立于2013年1月，注册资本为21,300万元，拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人，其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，产品优质且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域；未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展，公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。