型号等于：	NCA1042 (1) NCA1042B (1) NCA1051 (1) NCA1051A (1) NCA1145-Q1 (1) NCA3485 (1) NCA3491 (1) NCA8244 (1) NCA8244-Q1 (1) NCA8244L (1) NCA8245 (1) NCA8245-Q1 (1) NCA8245L (1) NCA84245 (1) NCA8541 (1) NCA8541-Q1 (1) NCA8T245 (1) NCA9306 (1) NCA9511 (1) NCA9534B (1) NCA9539-Q1 (1) NCA9544 (1) NCA9545 (1) NCA9546 (1) NCA9548 (1) NCA9555 (1) NCA9555B (1) NCA9617A (1) NIRSP31 (1) NIRSP31V (1) NSA2200 (1)
型号起始：	NCA1021S-Q* (1) NCA1042* (1) NCA1042B* (1) NCA1042B-Q* (1) NCA1051* (1) NCA1051A* (1) NCA1145-Q1* (1) NCA3485* (1) NCA3491* (1) NCA8244* (1) NCA8244-Q1* (1) NCA8244L* (1) NCA8244L-Q* (1) NCA8245* (1) NCA8245-Q1* (1) NCA8245L* (1) NCA8245L-Q* (1) NCA84245* (1) NCA84245-Q* (1) NCA8541* (1) NCA8541-Q1* (1) NCA8T245* (1) NCA8T245-Q* (1) NCA9306* (1) NCA9511* (1) NCA9534B* (1) NCA9539-Q1* (1) NCA9544* (1) NCA9545* (1) NCA9546* (1) NCA9548* (1)
所属品牌：	不限 NOVOSENSE(502)
功能分类：	不限开关(201) 栅极驱动(242) 晶体管(189) 驱动器(258) 双极性晶体管(60) 传感器(73) 隔离技术(48) 变压器(17) 温度传感(23) 温度传感器(23) 时钟(14) 驱动(47) 压力传感器(12) 电机(10) 局域网(6) 控制器(10) 高压(12) 电池(14) 便携式(12) 便携式设备(6) 红外传感器(4) 继电器(7) 监视器(4) 微控制器(4) 微处理器(4) 二极管(4) 放大器(16) 隔离放大器(6) 电源开关(3) 风扇(3) 光电二极管(6) 功率因数校正(2) 肖特基二极管(2) 医疗(2) 仪表(4) 仪表放大器(4) 脉冲(2) 复用器(1) 转换器(1) 电平转换器(1) 锁存器(1) 总线收发器(2) 温度补偿(1) 光电(1) 调节器(1) 通信(1) 比较器(1)

NOVOSENSE - 型号起始 - 栅极驱动; 总记录数：242

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		NSD1025-DDAER 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1025 是一款双通道、非反相、高速、低侧的栅极驱动器，此产品能够有效地驱动MOSFET/IGBT。为了增加稳定耐用性， NSD1025在输入引脚上增加耐负压 –10V的能力。 NSD10	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSD1025-DHMSR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1025 是一款双通道、非反相、高速、低侧的栅极驱动器，此产品能够有效地驱动MOSFET/IGBT。为了增加稳定耐用性， NSD1025在输入引脚上增加耐负压 –10V的能力。 NSD10	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSD1025-DSPR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1025 是一款双通道、非反相、高速、低侧的栅极驱动器，此产品能够有效地驱动MOSFET/IGBT。为了增加稳定耐用性， NSD1025在输入引脚上增加耐负压 –10V的能力。 NSD10	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSD1025-Q1HMSR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1025-Q1是一款车规级的双通道、非反相、高速、低侧的栅极驱动器，此产品能够有效地驱动MOSFET/IGBT。为了增加稳定耐用性， NSD1025-Q1在输入引脚上增加耐负压 –10V的	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSD1025-Q1HSPR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1025-Q1是一款车规级的双通道、非反相、高速、低侧的栅极驱动器，此产品能够有效地驱动MOSFET/IGBT。为了增加稳定耐用性， NSD1025-Q1在输入引脚上增加耐负压 –10V的	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSD1025E-DDAER 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1025 是一款双通道、非反相、高速、低侧的栅极驱动器，此产品能够有效地驱动MOSFET/IGBT。为了增加稳定耐用性， NSD1025在输入引脚上增加耐负压 –10V的能力。 NSD10	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSD1025E-DHMSR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1025 是一款双通道、非反相、高速、低侧的栅极驱动器，此产品能够有效地驱动MOSFET/IGBT。为了增加稳定耐用性， NSD1025在输入引脚上增加耐负压 –10V的能力。 NSD10	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSD1025E-DSPR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1025 是一款双通道、非反相、高速、低侧的栅极驱动器，此产品能够有效地驱动MOSFET/IGBT。为了增加稳定耐用性， NSD1025在输入引脚上增加耐负压 –10V的能力。 NSD10	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSD1025E-Q1HMSR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1025-Q1是一款车规级的双通道、非反相、高速、低侧的栅极驱动器，此产品能够有效地驱动MOSFET/IGBT。为了增加稳定耐用性， NSD1025-Q1在输入引脚上增加耐负压 –10V的	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSD1025E-Q1HSPR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1025-Q1是一款车规级的双通道、非反相、高速、低侧的栅极驱动器，此产品能够有效地驱动MOSFET/IGBT。为了增加稳定耐用性， NSD1025-Q1在输入引脚上增加耐负压 –10V的	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSD1624-DLAJR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有行业内领先的超低传播延迟，低	栅极驱动双极性晶体管高压驱动器
		NSD1624-DSPKR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有行业内领先的超低传播延迟，低	栅极驱动双极性晶体管高压驱动器
		NSD1624-DSPR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有行业内领先的超低传播延迟，低	栅极驱动双极性晶体管高压驱动器
		NSD16241-DSPKR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有行业内领先的超低传播延迟，低	栅极驱动双极性晶体管高压驱动器
		NSD16241-DSPR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有行业内领先的超低传播延迟，低	栅极驱动双极性晶体管高压驱动器
		NSD16242-DSPR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有行业内领先的超低传播延迟，低	栅极驱动双极性晶体管高压驱动器
		NSI6601B-DSPR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSI6601是单通道隔离式栅极驱动器，旨在驱动许多应用中的IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET。它提供分立输出，分别控制上升和下降时间，并可以提供最大5A/5A的拉灌电流能力。 N	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSI6601B-DSWVR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSI6601是单通道隔离式栅极驱动器，旨在驱动许多应用中的IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET。它提供分立输出，分别控制上升和下降时间，并可以提供最大5A/5A的拉灌电流能力。 N	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSI6601C-DSPR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSI6601是单通道隔离式栅极驱动器，旨在驱动许多应用中的IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET。它提供分立输出，分别控制上升和下降时间，并可以提供最大5A/5A的拉灌电流能力。 N	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSI6601C-DSWVR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSI6601是单通道隔离式栅极驱动器，旨在驱动许多应用中的IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET。它提供分立输出，分别控制上升和下降时间，并可以提供最大5A/5A的拉灌电流能力。 N	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSI6601MB-DSPR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSI6601MB-DSWVR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSI6601MB-Q1SPR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSI6601MB-Q1SWVR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSI6601MC-DSPR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSI6601MC-DSWVR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSI6601MC-Q1SPR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSi6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSI6601MC-Q1SWVR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSi6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSI6601WC-DSWVR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSI6601是单通道隔离式栅极驱动器，旨在驱动许多应用中的IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET。它提供分立输出，分别控制上升和下降时间，并可以提供最大5A/5A的拉灌电流能力。 N	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		NSI6601WC-Q1SWVR 中文翻译品牌: NOVOSENSE	NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流	栅极驱动双极性晶体管驱动器

Total:24212 3 4 5 6 7 8 9...9 下页

总242条记录，每页显示30条记录分9页显示。

NOVOSENSE是什么品牌：纳芯微电子（简称纳芯微，科创板股票代码688052）是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。自2013年成立以来，公司聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向，提供丰富的半导体产品及解决方案，并被广泛应用于汽车、工业、信息通讯及消费电子领域。纳芯微以『“感知”“驱动”未来，共建绿色、智能、互联互通的“芯”世界』为使命，致力于为数字世界和现实世界的连接提供芯片级解决方案。