型号等于：	D100 (4) D1000 (1) D1004 (1) D1005 (1) D100B (1) D100E (1) D100I (1) D100L (1)
型号起始：	D100* (1012) D100-* (6) D1000* (10) D1001* (2) D1002* (2) D1003* (3) D1004* (654) D1005* (3) D1006* (2) D1007* (2) D1008* (3) D1009* (2) D100A* (10) D100B* (4) D100D* (2) D100E* (6) D100G* (44) D100I* (1) D100J* (28) D100K* (53) D100L* (22) D100M* (14) D100N* (135)
所属品牌：	不限 VISHAY(709) DBLECTRO(295) OHMITE(61) PDI(13) SEME-LAB(11) MPD(10) FREQUENCYDEVICES(9) TTELEC(9) TE(8) INFINEON(5) STMICROELECTRONICS(4) SCHNEIDER(3) SUMIDA(2) MIMIX(1) SPECTRUM(1)
功能分类：	不限电阻器(453) 驱动(89) 晶体(144) 谐振器(140) 电容器(45) 转换器(9) 射频(16) 可变电阻器(7) 继电器(7) 快速恢复二极管(5) 微波(5) 控制器(3) 变压器(2) 晶体管(4) CD(2) 放大器(4) 局域网(4) 传感器(1) 温度传感器(1) 压敏电阻(1) 高功率电源(1)

D100 - 型号起始 - 放大器; 总记录数：9

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		D1003UK 中文翻译品牌: SEME-LAB	METAL GATE RF SILICON FET 金属闸极射频硅场效应管	晶体晶体管射频放大器局域网
		D10040180GT 中文翻译品牌: PDI	GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 19.0dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC 砷化镓功率倍增， 40 - 1000MHz的， 19.0分贝分钟。获得@ 1GHz的375毫安最大。 @ 24VDC
		D10040180GTH 中文翻译品牌: PDI	GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 19.0dB min. Gain @ 1GHz, 440mA max. @ 24VDC 砷化镓功率倍增， 40 - 1000MHz的， 19.0分贝分钟。获得@ 1GHz的440毫安最大。 @ 24VDC
		D10040220GT 中文翻译品牌: PDI	GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 22.5dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC 砷化镓功率倍增， 40 - 1000MHz的， 22.5分贝分钟。获得@ 1GHz的375毫安最大。 @ 24VDC
		D10040270GT 中文翻译品牌: PDI	GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 27.0dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC 砷化镓功率倍增， 40 - 1000MHz的， 27.0分贝分钟。获得@ 1GHz的375毫安最大。 @ 24VDC
		D10040270GTH 中文翻译品牌: PDI	GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 27.0dB min. Gain @ 1GHz, 440mA max. @ 24VDC 砷化镓功率倍增， 40 - 1000MHz的， 27.0分贝分钟。获得@ 1GHz的440毫安最大。 @ 24VDC	射频微波
		D1004UK 中文翻译品牌: SEME-LAB	METAL GATE RF SILICON FET 金属闸极射频硅场效应管	晶体晶体管射频放大器局域网
		D1007UK 中文翻译品牌: SEME-LAB	METAL GATE RF SILICON FET 金属闸极射频硅场效应管	晶体晶体管射频放大器局域网
		D1009UK 中文翻译品牌: SEME-LAB	METAL GATE RF SILICON FET 金属闸极射频硅场效应管	晶体晶体管射频放大器局域网

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