PT100温 - 型号起始 - 脉冲; 总记录数：13

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		HAF1001 中文翻译品牌: HITACHI	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching / Over Temperature Shut-down Capability 硅P沟道MOS FET系列电源开关/过温关断功能	晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
		IXFH120N25T 中文翻译品牌: LITTELFUSE	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处	局域网栅开关脉冲晶体管
		IXFH150N20T 中文翻译品牌: LITTELFUSE	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处	局域网栅开关脉冲晶体管
		IXFN360N10T 中文翻译品牌: LITTELFUSE	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处	局域网栅开关脉冲晶体管
		IXFX180N25T 中文翻译品牌: LITTELFUSE	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处	局域网栅开关脉冲晶体管
		IXTA160N075T 中文翻译品牌: LITTELFUSE	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处	栅开关脉冲晶体管
		IXTA76N25T 中文翻译品牌: LITTELFUSE	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处	局域网栅开关脉冲晶体管
		IXTH160N075T 中文翻译品牌: LITTELFUSE	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处	局域网栅开关脉冲晶体管
		IXTH160N10T 中文翻译品牌: LITTELFUSE	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处	局域网栅开关脉冲晶体管
		IXTP182N055T 中文翻译品牌: LITTELFUSE	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处	局域网栅开关脉冲晶体管
		IXTP56N15T 中文翻译品牌: LITTELFUSE	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处	局域网栅开关脉冲晶体管
		IXTP64N055T 中文翻译品牌: LITTELFUSE	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处	局域网栅开关脉冲晶体管
		S558-5999-Z5-F 中文翻译品牌: BEL	10/100BASE-T LAN MAGNETICS, Extended Temperature Transformer Modules 10 / 100BASE -T LAN磁学，宽温变压器模块	变压器局域网局域网（LAN）标准

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