QT1 IG - 型号起始 - 内存集成电路; 总记录数：63

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1P10C68-35/IG/DCBS 中文翻译品牌: DYNEX	Memory IC
		CAT24C16VP2IG 中文翻译品牌: CATALYST	EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, 2 X 3 MM, GREEN, MO-229, TDFN-8	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
		CAT24C16VP2IG 中文翻译品牌: ONSEMI	IC 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 2 X 3 MM, GREEN, MO-229, TDFN-8, Programmable ROM	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
		EM638165TS-6IG 中文翻译品牌: ETRON	4M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		EM638165TS-7IG 中文翻译品牌: ETRON	4M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		EM63A165TS-5IG 中文翻译品牌: ETRON	16M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		EM63A165TS-6IG 中文翻译品牌: ETRON	16M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		EM63A165TS-7IG 中文翻译品牌: ETRON	16M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		KM93C07IG 中文翻译品牌: SAMSUNG	EEPROM, 16X16, Serial, CMOS, PDSO8	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
		P10C68-35/IG/DCBS 中文翻译品牌: MICROSEMI	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28	静态存储器内存集成电路
		P10C68-35/IG/DPBS 中文翻译品牌: MICROSEMI	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	静态存储器光电二极管内存集成电路
		P10C68-45/IG/DCBS 中文翻译品牌: MICROSEMI	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28	静态存储器内存集成电路
		P10C68-45/IG/DPBS 中文翻译品牌: MICROSEMI	Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	静态存储器光电二极管内存集成电路
		P11C68-35/IG/DCBS 中文翻译品牌: MICROSEMI	Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28	静态存储器内存集成电路
		P11C68-35/IG/DPBS 中文翻译品牌: MICROSEMI	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	静态存储器光电二极管内存集成电路
		P11C68-45/IG/DCBS 中文翻译品牌: MICROSEMI	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28	静态存储器内存集成电路
		P11C68-45/IG/DPBS 中文翻译品牌: MICROSEMI	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	静态存储器光电二极管内存集成电路
		W3EG6432S265D4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG6432S335D4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S202AD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S262AD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S262BD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S265AD4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S265BD4IG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3EG7266S403BD4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3HG2128M72EEU534PD4IG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.5ns, CMOS, PDMA200,	时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3HG2128M72EEU665PD4IG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, PDMA200,	时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3HG2128M72EEU806PD4IG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, PDMA200,	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		X24320S8IG 中文翻译品牌: ICMIC	400KHz 2-Wire Serial E2PROM with Block Lock 400kHz的2线串行E2PROM与锁座	内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
		X24320S8IG-1.8 中文翻译品牌: ICMIC	400KHz 2-Wire Serial E2PROM with Block Lock 400kHz的2线串行E2PROM与锁座	内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟

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