QT1 IG - 型号起始 - 动态存储器; 总记录数：34

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		EM636165TS-10I/10IG 中文翻译品牌: ETRON	1Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM) 1Mega ×16同步DRAM （SDRAM）的	动态存储器
		EM636165TS-6I/6IG 中文翻译品牌: ETRON	1Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM) 1Mega ×16同步DRAM （SDRAM）的	动态存储器
		EM636165TS-7I/7IG 中文翻译品牌: ETRON	1Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM) 1Mega ×16同步DRAM （SDRAM）的	动态存储器
		EM636165TS-8I/8IG 中文翻译品牌: ETRON	1Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM) 1Mega ×16同步DRAM （SDRAM）的	动态存储器
		EM638165TS-5IG 中文翻译品牌: ETRON	4M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器
		EM638165TS-6IG 中文翻译品牌: ETRON	4M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		EM638165TS-7IG 中文翻译品牌: ETRON	4M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		EM639325TS-5IG 中文翻译品牌: ETRON	4M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器
		EM639325TS-6IG 中文翻译品牌: ETRON	4M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器
		EM639325TS-7IG 中文翻译品牌: ETRON	4M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器
		EM63A165TS-5IG 中文翻译品牌: ETRON	16M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		EM63A165TS-6IG 中文翻译品牌: ETRON	16M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		EM63A165TS-7IG 中文翻译品牌: ETRON	16M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		STM32F469IG 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	带DSP和FPU的高性能高级系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash、180 MHz CPU、ART加速器、Chrom-ART加速器、TFT、带SDRAM的FMC、双QSPI、TFT和MIPI-DSI	动态存储器
		W3EG6432S265D4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG6432S335D4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S202AD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S202BD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	存储动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S262AD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S262BD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S265AD4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S265BD4IG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3EG7266S335AD4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S335BD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S403AD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S403BD4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3HG2128M72EEU403PD4IG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DRAM,	动态存储器
		W3HG2128M72EEU534PD4IG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.5ns, CMOS, PDMA200,	时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3HG2128M72EEU665PD4IG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, PDMA200,	时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3HG2128M72EEU806PD4IG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, PDMA200,	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路

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