| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1ED3127MU12F
中文翻译 品牌: INFINEON |
10 A、3 kV (rms)单通道隔离型栅极驱动器： 有源米勒钳位，UL 1577认证，12 V欠压锁定（UVLO）保护 | 栅极驱动 驱动器 | |||
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2EDL8024G
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 2EDL8024G 双通道结隔离式栅极驱动器 IC 专为半桥应用中的中压功率 MOSFET 设计，如电信和 DC-DC 转换器 | 栅极驱动 电信 驱动器 转换器 | |||
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6ED2742S01Q
中文翻译 品牌: INFINEON |
MOTIX™ 6ED2742S01Q是一款160V 绝缘体上硅 (SOI) 栅极驱动器，专为三相BLDC电机驱动应用而设计。这款驱动器集成自举二极管，可为三个外高压侧自举电容充电，具有涓流充电电路，支持100%占空比。主要保护功能包括，欠压锁定、可配置阈值的过流保护、故障通信和自动故障清除。其输出驱 | 通信 电机 栅极驱动 高压 脉冲 二极管 驱动器 | |||
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AUIRS2004S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Automotive Grade HALF-BRIDGE DRIVER IC Undervoltage lockout 汽车级半桥驱动器IC欠压锁定 |
驱动器 | ||
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AUIRS2004STR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Automotive Grade HALF-BRIDGE DRIVER IC Undervoltage lockout 汽车级半桥驱动器IC欠压锁定 |
外围驱动器 驱动程序和接口 接口集成电路 光电二极管 | ||
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BAR 63-04 E6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
平均整流电流（Io）:100mA;正向压降（Vf）:950mV@100mA;最大反向电流(Ir):10nA@35V;通道数:1对串联式;元器件封装:SOT-23; | |||
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BAR 63-04W H6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
平均整流电流（Io）:100mA;正向压降（Vf）:950mV@100mA;最大反向电流(Ir):10nA@35V;通道数:1对串联式;元器件封装:SOT-323; | |||
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BAR 63-05 E6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
平均整流电流（Io）:100mA;正向压降（Vf）:950mV@100mA;最大反向电流(Ir):10nA@35V;通道数:1对共阴极;元器件封装:SOT-23; | |||
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BAR 63-06 E6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
平均整流电流（Io）:100mA;正向压降（Vf）:950mV@100mA;最大反向电流(Ir):10nA@35V;通道数:1对共阳极;元器件封装:SOT-23; | ||||
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BAR 64-03W E6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
平均整流电流（Io）:100mA;正向压降（Vf）:950mV@100mA;最大反向电流(Ir):20nA@20V;通道数:独立式;元器件封装:SOD-323; | |||
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BAR 64-04W H6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
平均整流电流（Io）:100mA;正向压降（Vf）:950mV@100mA;最大反向电流(Ir):20nA@20V;通道数:1对串联式;元器件封装:SOT-323; | |||
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BAR 64-06 E6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
平均整流电流（Io）:100mA;正向压降（Vf）:950mV@100mA;最大反向电流(Ir):20nA@20V;通道数:1对共阳极;元器件封装:SOT-23; | |||
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BAR 64-06W H6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
平均整流电流（Io）:100mA;正向压降（Vf）:950mV@100mA;最大反向电流(Ir):20nA@20V;通道数:1对共阳极;元器件封装:SOT-323; | |||
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BAR 81W H6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:100mA;反向恢复时间（trr）:80ns;正向压降（Vf）:1V@100mA;最大反向电流(Ir):20nA@20V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);通道数:独立式;元器件封装:SOT-343; | |||
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BAS 16-02V H6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:200mA;反向恢复时间（trr）:4ns;正向压降（Vf）:1.25V@150mA;最大反向电流(Ir):1μA@75V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);通道数:独立式;元器件封装:PG-SC79-2; | |||
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BAS 16-03W E6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:250mA;反向恢复时间（trr）:4ns;正向压降（Vf）:1.25V@150mA;最大反向电流(Ir):1μA@75V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);通道数:独立式;元器件封装:PG-SOD323-2; | |||
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BAS 16S H6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:200mA;反向恢复时间（trr）:4ns;正向压降（Vf）:1.25V@150mA;最大反向电流(Ir):1μA@75V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);通道数:3个独立式;元器件封装:SOT-363; | |||
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BAS 16W H6433
中文翻译 品牌: INFINEON |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:250mA;反向恢复时间（trr）:4ns;正向压降（Vf）:1.25V@150mA;最大反向电流(Ir):1μA@75V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);通道数:独立式;元器件封装:SOT-323-3; | |||
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BAT70-05
中文翻译 品牌: INFINEON |
Silicon Schottky Diodes (Parallel connection for maximum IF per package Low forward voltage drop For power supply) 硅肖特基二极管（ IF每包低正向压降为电源的最大并行连接） |
肖特基二极管 | |||
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BAV 170 E6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
平均整流电流（Io）:200mA;正向压降（Vf）:1.25V@150mA;最大反向电流(Ir):5nA@75V;通道数:1对共阴极;元器件封装:SOT-23; | |||
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BAV 70 E6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:200mA;反向恢复时间（trr）:4ns;正向压降（Vf）:1.25V@150mA;最大反向电流(Ir):150nA@70V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);通道数:1对共阴极;元器件封装:SOT-23; | |||
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BAV 70U E6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:200mA;反向恢复时间（trr）:4ns;正向压降（Vf）:1.25V@150mA;最大反向电流(Ir):150nA@70V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);通道数:2对共阴极;元器件封装:SC-74; | |||
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BAV 70W H6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:200mA;反向恢复时间（trr）:4ns;正向压降（Vf）:1.25V@150mA;最大反向电流(Ir):150nA@70V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);通道数:1对共阴极;元器件封装:SOT-323; | |||
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BAW 78D H6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:1A;反向恢复时间（trr）:1us;正向压降（Vf）:2V@2A;最大反向电流(Ir):1μA@400V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);通道数:独立式;元器件封装:SOT-89; | ||||
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BCR135WH6327XTSA1
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;类型:NPN - 预偏压 ;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 500µA，10mA ;变换频率ft(MHz):150 MHz ;最大耗散功率Pd(W):250 mW ;偏置电阻R1(KΩ):10 kOhms ;偏置电阻R2(KΩ):47 kOh | |||
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BCR431U
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌的 BCR431U 是低压差线性 LED 驱动器 IC，它采用了小体积 的SOT23-6 封装，并且可以在不连接外部功率晶体管的情况下，独立完成LED 恒定电流的调节和控制。该产品适用于驱动高达 37mA 的LED应用，同时该IC 的可工作电压范围为 6V 到 42V。LED 驱动电流的大小可 | 驱动 晶体管 驱动器 | |||
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BCR553E6327HTSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;类型:PNP - 预偏压 ;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 2.5mA，50mA ;变换频率ft(MHz):150 MHz ;最大耗散功率Pd(W):330 mW ;偏置电阻R1(KΩ):2.2 kOhms ;偏置电阻R2(KΩ):2.2 k | |||
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BF420
中文翻译 品牌: INFINEON |
NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage (NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage) NPN硅晶体管高反向电压（ NPN硅晶体管，高反压） |
晶体 晶体管 | |||
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BF422
中文翻译 品牌: INFINEON |
NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage (NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage) NPN硅晶体管高反向电压（ NPN硅晶体管，高反压） |
晶体 晶体管 | |||
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BF869
中文翻译 品牌: INFINEON |
NPN Silicon Transistors with High Reverse Voltage NPN硅晶体管高反压 |
晶体 晶体管 放大器 局域网 |