型号等于: | SDM9926 (2) SDM9926A (1) |
型号起始: | SDM9926* (3) SDM9926A* (1) |
所属品牌: | 不限 SAMHOP(2) |
功能分类: | 不限 晶体(2) 晶体管(2) 场效应晶体管(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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SDM9926
中文翻译 品牌: SAMHOP |
Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor 双N信道E nhancement模式场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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SDM9926
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):7.1A;最大导通阻抗Ron(mΩ):19mΩ 4.5V,7.1A;类型:2个N沟道;最大耗散功率Pd(W):2W;栅源耐压Vgs(V):1.5V 250uA; | 栅 |
Total:21
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