品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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256MBDDRSDRAM
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
DDR SDRAM Specification Version 0.3 DDR SDRAM规范版本0.3 |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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AM27C020-55DC500
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
UVPROM, 512MX8, 25ns, CMOS, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, ULGA-52 | 可编程只读存储器 内存集成电路 | ||
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DDRSDRAM
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
DDR SDRAM Specification Version 0.61 DDR SDRAM规范版本0.61 |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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DDRSDRAM1111
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
DDR SDRAM Specification Version 1.0 DDR SDRAM规范版本1.0 |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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DS_K1S161611A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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DS_K1S16161CA
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位页面模式的Uni-晶闸管随机存取存储器 |
存储 | |||
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DS_K4D263238D
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1M x 32Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL 1M X 32位×4银行双数据速率同步DRAM与双向数据选通和DLL |
动态存储器 | |||
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DS_K4S161622D
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1M x 16 SDRAM 1M ×16 SDRAM |
动态存储器 | |||
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DS_K4S161622E
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1M x 16 SDRAM 1M ×16 SDRAM |
动态存储器 | |||
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DS_K6X8008TBN
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
CMOS SRAM CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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DS_K6X8016C3B
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
64Kx36 & 64Kx32-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM 64Kx36和64Kx32位同步流水线突发SRAM |
静态存储器 | |||
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DS_K7A803600B
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM 256Kx36和512Kx18同步SRAM |
静态存储器 | |||
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DS_K7B803625B
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM 256Kx36和512Kx18位同步突发SRAM |
静态存储器 | |||
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DS_K7R323682M
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM 1Mx36及2Mx18及4Mx9 QDRTM II B2 SRAM |
静态存储器 | |||
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DS_M368L3223DTL
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256MB DDR SDRAM MODULE 256MB DDR SDRAM模块 |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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DS_M390S2858CT1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
SDRAM DIMM SDRAM DIMM |
动态存储器 | |||
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DS_S8S3122X16
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256K x 16 SDRAM 256K ×16 SDRAM |
动态存储器 | |||
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FMB857B
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb F-die DDR SDRAM Specification 256Mb的F-死DDR SDRAM规格 |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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K1B1616B2B-BI70
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Application Specific SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA54 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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K1B1616B2B-BI700
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Application Specific SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA54 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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K1B1616B2B-FI70
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Application Specific SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA54 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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K1B1616B2B-HI70
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Application Specific SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA54 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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K1B1616B2B-HI700
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Application Specific SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA54 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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K1B1616B2B-HI70T
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Application Specific SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA54 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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K1B3216B7D-BI700
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
DRAM | 动态存储器 | |||
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K1B3216B7D-BI70T
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
DRAM | 动态存储器 | |||
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K1B3216B7D-FI700
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
DRAM | 动态存储器 | |||
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K1B3216B7D-FI70T
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
DRAM | 动态存储器 | |||
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K1B3216B8E-BI70
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
SRAM | 静态存储器 | |||
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K1B3216B8E-BI700
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
SRAM | 静态存储器 |
SAMSUNG是什么品牌:数字时代为全球业务带来了革命性的机遇和革新。三星集团一直紧随这些变革,并不断地更新自己的业务结构、经营理念以及公司文化,以满足世界信息时代日益变化的需求。 在三星,我们将每个挑战都视为是一次机会,并坚信在数字领域,我们完全可以成为世界公认的领导者之一。目前,三星领先全球市场的产品包括半导体产品、TFT-LCD、显示器和CDMA移动电话等。 同时,我们也在积极地提升企业品牌价值,因为它是公司发展的核心动力。三星的品牌价值已经由2009年的175亿美元增长为2011年的234亿美元,并且被Interbrand公司评选为发展最快的国际品牌。 展望未来,三星将力争成为引领席卷全球的数字革命的领导者。我们期望用我们先进的技术、富于竞争力的产品,以及专业的人力资源领导社会的数字化革命。