品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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AL2007LA
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Phase-Locked Loop (PLL) frequency synthesizer constructed in CMOS on single monolithic structure 锁相环(PLL)频率上的单片结构构成CMOS中合成 |
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CXB1828ER
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2.5Gbps Laser Diode Driver 2.5Gbps的激光二极管驱动器 |
驱动器 二极管 激光二极管 | |||
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DS_K1S161611A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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DS_K1S16161CA
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位页面模式的Uni-晶闸管随机存取存储器 |
存储 | |||
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FMB857B
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb F-die DDR SDRAM Specification 256Mb的F-死DDR SDRAM规格 |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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IRFS640
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Improved inductive ruggedness 改进的感应耐用 |
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IRFS640A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Improved gate charge 改进的栅极电荷 |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFS641
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Improved inductive ruggedness 改进的感应耐用 |
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IRLZ44A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
ADVANCED POWER MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | ||
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K1B6416B6C
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
4Mx16 bit Synchronous Burst Uni-Transistor Random Access Memory 4Mx16位同步突发的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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K1S161611A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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K1S161611A-I
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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K1S16161CA
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位页面模式的Uni-晶闸管随机存取存储器 |
存储 | |||
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K1S16161CA-I
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位页面模式的Uni-晶闸管随机存取存储器 |
存储 | |||
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K1S1616B1A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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K1S1616B1A-BI70
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 内存集成电路 晶体管 静态存储器 | |||
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K1S1616B1A-BI85
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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K1S1616B1A-FI70
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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K1S1616B1A-FI85
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 内存集成电路 晶体管 静态存储器 | |||
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K1S1616B1A-I
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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K1S1616BCA
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
1Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory 1Mx16位页面模式的Uni-晶闸管随机存取存储器 |
存储 | |||
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K1S2816BCM
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
8Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory 8Mx16位页面模式的Uni-晶闸管随机存取存储器 |
存储 | |||
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K1S2816BCM-I
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
8Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory 8Mx16位页面模式的Uni-晶闸管随机存取存储器 |
存储 | |||
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K1S321611C
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 2Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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K1S321611C-FI70
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 2Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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K1S321611C-I
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 2Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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K1S321615M
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 2Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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K1S321615M-E
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 2Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 | |||
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K1S321615M-EE10
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory 2Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器 |
晶体 存储 晶体管 静态存储器 | ||
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K1S32161CC
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory 2Mx16位页面模式的Uni-晶闸管随机存取存储器 |
存储 |
SAMSUNG是什么品牌:数字时代为全球业务带来了革命性的机遇和革新。三星集团一直紧随这些变革,并不断地更新自己的业务结构、经营理念以及公司文化,以满足世界信息时代日益变化的需求。 在三星,我们将每个挑战都视为是一次机会,并坚信在数字领域,我们完全可以成为世界公认的领导者之一。目前,三星领先全球市场的产品包括半导体产品、TFT-LCD、显示器和CDMA移动电话等。 同时,我们也在积极地提升企业品牌价值,因为它是公司发展的核心动力。三星的品牌价值已经由2009年的175亿美元增长为2011年的234亿美元,并且被Interbrand公司评选为发展最快的国际品牌。 展望未来,三星将力争成为引领席卷全球的数字革命的领导者。我们期望用我们先进的技术、富于竞争力的产品,以及专业的人力资源领导社会的数字化革命。