品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
K4H560438E-TC
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560438E-TC/LA2
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560438E-TC/LAA
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560438E-TC/LB0
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560438E-TC/LB3
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
![]() |
K4H560438E-TCAA
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II |
存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
![]() |
![]() |
K4H560438E-TCB3
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II |
存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
![]() |
![]() |
K4H560438E-TLAA
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II |
存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
![]() |
![]() |
K4H560438E-TLB3
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II |
存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
![]() |
K4H560438E-UC
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS) |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560438E-UC/LA2
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS) |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560438E-UC/LAA
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS) |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560438E-UC/LB0
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS) |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560438E-UC/LB3
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS) |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560438E-UCA2
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS) |
存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | |||
![]() |
K4H560438E-UCAA
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS) |
存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | |||
![]() |
K4H560438E-UCB0
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS) |
存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | |||
![]() |
K4H560438E-UCB3
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS) |
存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | |||
![]() |
K4H560438E-UCB3T
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66 | 存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | |||
![]() |
K4H560438E-ULA2
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS) |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560438E-ULA2T
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
暂无描述 | 电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560438E-ULAA
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS) |
存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | |||
![]() |
K4H560438E-ULB0
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS) |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560438E-ULB0T
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66 | 电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560438E-ULB3
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS) |
存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | |||
![]() |
K4H560438E-ULB3T
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
暂无描述 | 存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | |||
![]() |
K4H560838E
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) DDR SDRAM 256Mb的电子芯片( X4,X8 ) |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560838E-TC/LA2
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560838E-TC/LAA
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II |
电子 动态存储器 双倍数据速率 | |||
![]() |
K4H560838E-TC/LB0
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II 256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II |
电子 动态存储器 双倍数据速率 |
SAMSUNG是什么品牌:数字时代为全球业务带来了革命性的机遇和革新。三星集团一直紧随这些变革,并不断地更新自己的业务结构、经营理念以及公司文化,以满足世界信息时代日益变化的需求。 在三星,我们将每个挑战都视为是一次机会,并坚信在数字领域,我们完全可以成为世界公认的领导者之一。目前,三星领先全球市场的产品包括半导体产品、TFT-LCD、显示器和CDMA移动电话等。 同时,我们也在积极地提升企业品牌价值,因为它是公司发展的核心动力。三星的品牌价值已经由2009年的175亿美元增长为2011年的234亿美元,并且被Interbrand公司评选为发展最快的国际品牌。 展望未来,三星将力争成为引领席卷全球的数字革命的领导者。我们期望用我们先进的技术、富于竞争力的产品,以及专业的人力资源领导社会的数字化革命。