型号等于:2N3903 (1) 2N3905 (1) 2N4123 (1) 2N4124 (1) 2N4125 (1) 2N4126 (1) 2N5086 (1) 2N5089 (1) 2N5210 (1) 2N5400 (1) 2N5401 (1) 2N5550 (1) 2N6427 (1) 2N6428 (1) 2N6428A (1) 2N6516 (1) 2N6517 (1) 2N6518 (1) 2N6519 (1) 2N6520 (1) 2SC1730 (1) AL1213A (1) AL2007LA (1) 62256 (1)
型号起始:16L102DA* (1) 16T202DA* (1) 20S207DA* (1) 20T202DA* (1) 256MBDDR* (1) 2N3903* (1) 2N3905* (1) 2N4123* (1) 2N4124* (1) 2N4125* (1) 2N4126* (1) 2N5086* (1) 2N5089* (1) 2N5210* (1) 2N5400* (1) 2N5401* (1) 2N5550* (1) 2N6427* (1) 2N6428* (1) 2N6428A* (1) 2N6516* (1) 2N6517* (1) 2N6518* (1) 2N6519* (1) 2N6520* (1) 2SC1730* (1) AL1213A* (1) AL2007LA* (1) AM27C020* (1) AT-FC-A-* (240) AT-FC-P-* (240)
所属品牌:不限 SAMSUNG(84484)
功能分类:不限 电阻器(27508) 动态存储器(16466) 双倍数据速率(6540) 光电二极管(12958) 内存集成电路(18745) 静态存储器(8998) 时钟(7194) 电感器(1054) 闪存(1534) 电容器(840) 有原始数据的样本ROM(1008) 存储(2477) 衰减器(632) 射频(644) 微波(632) 微控制器(1012) 可编程只读存储器(968) 电动程控只读存储器(786) 电可擦编程只读存储器(786) 测试(211) 射频感应器(263) 光电(162) 放大器(620) 晶体管(1255) 局域网(621) 开关(621) 外围集成电路(497) 脉冲(238) 信息通信管理(165) 钽电容器(91) 驱动(244) 接口集成电路(161) 输入元件(130) 输出元件(233) CD(461) 商用集成电路(407) 晶体(524) 调节器(79) 旋律IC(51) 驱动器(104) 控制器(108) ISM频段(63) 小信号双极晶体管(168) 先进先出芯片(89) 电子(100) 消费电路(180) 接收器集成电路(39) 转换器(57) 陶瓷电容器(26) 逻辑集成电路(61) 功率放大器(103)
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K4H560438E-TC
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II
电子 动态存储器 双倍数据速率
K4H560438E-TC/LA2
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II
电子 动态存储器 双倍数据速率
K4H560438E-TC/LAA
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II
电子 动态存储器 双倍数据速率
K4H560438E-TC/LB0
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II
电子 动态存储器 双倍数据速率
K4H560438E-TC/LB3
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II
电子 动态存储器 双倍数据速率
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
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存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟
K4H560438E-TCB3
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
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K4H560438E-TLAA
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
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K4H560438E-TLB3
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II
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K4H560438E-UC
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS)
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K4H560438E-UC/LA2
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电子 动态存储器 双倍数据速率
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
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电子 动态存储器 双倍数据速率
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K4H560438E-UC/LB3
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K4H560438E-UCA2
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256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS)
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K4H560438E-UCAA
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS)
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K4H560438E-UCB3
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K4H560438E-UCB3T
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DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66 存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟
K4H560438E-ULA2
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256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS)
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K4H560438E-ULA2T
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暂无描述 电子 动态存储器 双倍数据速率
K4H560438E-ULAA
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256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS)
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256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS)
电子 动态存储器 双倍数据速率
K4H560438E-ULB0T
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DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66 电子 动态存储器 双倍数据速率
K4H560438E-ULB3
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256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II与无铅(符合RoHS)
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K4H560438E-ULB3T
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暂无描述 存储 内存集成电路 光电二极管 电子 动态存储器 双倍数据速率 时钟
K4H560838E
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DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8)
DDR SDRAM 256Mb的电子芯片( X4,X8 )
电子 动态存储器 双倍数据速率
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II
电子 动态存储器 双倍数据速率
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II
电子 动态存储器 双倍数据速率
K4H560838E-TC/LB0
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
256Mb的电子芯片DDR SDRAM规格66 TSOP- II
电子 动态存储器 双倍数据速率
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SAMSUNG是什么品牌:数字时代为全球业务带来了革命性的机遇和革新。三星集团一直紧随这些变革,并不断地更新自己的业务结构、经营理念以及公司文化,以满足世界信息时代日益变化的需求。 在三星,我们将每个挑战都视为是一次机会,并坚信在数字领域,我们完全可以成为世界公认的领导者之一。目前,三星领先全球市场的产品包括半导体产品、TFT-LCD、显示器和CDMA移动电话等。 同时,我们也在积极地提升企业品牌价值,因为它是公司发展的核心动力。三星的品牌价值已经由2009年的175亿美元增长为2011年的234亿美元,并且被Interbrand公司评选为发展最快的国际品牌。 展望未来,三星将力争成为引领席卷全球的数字革命的领导者。我们期望用我们先进的技术、富于竞争力的产品,以及专业的人力资源领导社会的数字化革命。