品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF141
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF142
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF143
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF150
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF220
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF222
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF230
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF240
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF241
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRF243
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF323
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF331
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF333
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRF340
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF351
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF423
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF441
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRF443
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF531
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF614
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF624
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF634
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF641
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF711
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 脉冲 晶体管 | ||
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IRF731
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF740
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF820
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF822
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 高压 局域网 | |||
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IRF841
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 |
SAMSUNG是什么品牌:数字时代为全球业务带来了革命性的机遇和革新。三星集团一直紧随这些变革,并不断地更新自己的业务结构、经营理念以及公司文化,以满足世界信息时代日益变化的需求。 在三星,我们将每个挑战都视为是一次机会,并坚信在数字领域,我们完全可以成为世界公认的领导者之一。目前,三星领先全球市场的产品包括半导体产品、TFT-LCD、显示器和CDMA移动电话等。 同时,我们也在积极地提升企业品牌价值,因为它是公司发展的核心动力。三星的品牌价值已经由2009年的175亿美元增长为2011年的234亿美元,并且被Interbrand公司评选为发展最快的国际品牌。 展望未来,三星将力争成为引领席卷全球的数字革命的领导者。我们期望用我们先进的技术、富于竞争力的产品,以及专业的人力资源领导社会的数字化革命。