品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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AWB200ES2(LOW-VOLT)
中文翻译 品牌: SEIKO |
SRAM Card, 1MX16, 200ns, CMOS | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB200ES2(WIDE-TEMP)
中文翻译 品牌: SEIKO |
SRAM Card, 1MX16, 200ns, CMOS | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB200ES2{LOW-VOLT}
中文翻译 品牌: SEIKO |
1MX16 MULTI DEVICE SRAM CARD, 200ns, XMA68 | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB200ES2{WIDE-TEMP}
中文翻译 品牌: SEIKO |
1MX16 MULTI DEVICE SRAM CARD, 200ns, XMA68 | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB200ES4(LOW-VOLT)
中文翻译 品牌: SEIKO |
SRAM Card, 1MX16, 200ns, CMOS | 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB200ES4(WIDE-TEMP)
中文翻译 品牌: SEIKO |
SRAM Card, 1MX16, 200ns, CMOS | 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB200ES4{LOW-VOLT}
中文翻译 品牌: SEIKO |
1MX16 MULTI DEVICE SRAM CARD, 200ns, XMA68 | 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB200ES4{WIDE-TEMP}
中文翻译 品牌: SEIKO |
1MX16 MULTI DEVICE SRAM CARD, 200ns, XMA68 | 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB201ES2
中文翻译 品牌: SEIKO |
1MX16 MULTI DEVICE SRAM CARD, 200ns, XMA68 | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB201ES4
中文翻译 品牌: SEIKO |
1MX16 MULTI DEVICE SRAM CARD, 200ns, XMA68 | 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB201SD20
中文翻译 品牌: SEIKO |
SRAM Card, 2MX8, 250ns, MIXMOS | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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AWB201SD30
中文翻译 品牌: SEIKO |
2MX8 MULTI DEVICE SRAM CARD, 250ns, XMA68 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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AWB201SD40
中文翻译 品牌: SEIKO |
2MX8 MULTI DEVICE SRAM CARD, 250ns, XMA68 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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AWB256ES2(LOW-VOLT)
中文翻译 品牌: SEIKO |
SRAM Card, 128KX16, 200ns, CMOS | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB256ES2(WIDE-TEMP)
中文翻译 品牌: SEIKO |
SRAM Card, 128KX16, 200ns, CMOS | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB256ES2{LOW-VOLT}
中文翻译 品牌: SEIKO |
128KX16 MULTI DEVICE SRAM CARD, 200ns, XMA68 | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB256ES2{WIDE-TEMP}
中文翻译 品牌: SEIKO |
128KX16 MULTI DEVICE SRAM CARD, 200ns, XMA68 | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB256ES4(LOW-VOLT)
中文翻译 品牌: SEIKO |
SRAM Card, 128KX16, 200ns, CMOS | 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB256ES4(WIDE-TEMP)
中文翻译 品牌: SEIKO |
SRAM Card, 128KX16, 200ns, CMOS | 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB256ES4{LOW-VOLT}
中文翻译 品牌: SEIKO |
128KX16 MULTI DEVICE SRAM CARD, 200ns, XMA68 | 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB256ES4{WIDE-TEMP}
中文翻译 品牌: SEIKO |
128KX16 MULTI DEVICE SRAM CARD, 200ns, XMA68 | 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB257ES2
中文翻译 品牌: SEIKO |
128KX16 MULTI DEVICE SRAM CARD, 200ns, XMA68 | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB257ES4
中文翻译 品牌: SEIKO |
128KX16 MULTI DEVICE SRAM CARD, 200ns, XMA68 | 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB257JS10
中文翻译 品牌: SEIKO |
256KX8 MULTI DEVICE SRAM CARD, 250ns, XMA68 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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AWB257SD20
中文翻译 品牌: SEIKO |
256KX8 MULTI DEVICE SRAM CARD, 250ns, XMA68 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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AWB257SD30
中文翻译 品牌: SEIKO |
256KX8 MULTI DEVICE SRAM CARD, 250ns, XMA68 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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AWB257SD40
中文翻译 品牌: SEIKO |
256KX8 MULTI DEVICE SRAM CARD, 250ns, XMA68 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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AWB512ES2(LOW-VOLT)
中文翻译 品牌: SEIKO |
SRAM Card, 256KX16, 200ns, CMOS | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB512ES2(WIDE-TEMP)
中文翻译 品牌: SEIKO |
SRAM Card, 256KX16, 200ns, CMOS | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 静态存储器 输出元件 内存集成电路 | |||
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AWB512ES2{LOW-VOLT}
中文翻译 品牌: SEIKO |
256KX16 MULTI DEVICE SRAM CARD, 200ns, XMA68 | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 静态存储器 输出元件 内存集成电路 |
SEIKO是什么品牌:精工爱普生公司系1985年由SuwaSeikoshaCo.,Ltd.和爱普生公司合并而成,它的历史可以追溯到一百多年前第一块石英手表的诞生。精工爱普生公司总部在日本长野,它在海外设有三个地区总部、30个销售分公司、23个生产厂,在日本本土也有多家制造厂,目前约有员工42,000人。合并后的精工爱普生公司是全球性的打印机、计算机、手表、液晶显示器(LCD)、集成电路、电子器件、晶体、光学产品、工厂自动化系统生产商。EEA是EPSON公司在美国设立的子公司,公司位于美国加州LongBeach,主要提供一系列小功率低压半导体产品,其中包括ASIC、微控制器、图形模块(ASSP)、存储器等。EEA的产品主要有俄勒冈州波特兰市的工厂和精工爱普生在日本的工厂生产。公司在全美各地、加拿大多伦多和安大略省以及巴西、智力、墨西哥、委内瑞拉、哥伦比亚设有销售办事处。