型号等于：	HFB1N60 (1) HFB1N60S (1) HFB1N70 (1) HFB1N70F (1) HFB1N70S (1) HFC1N60 (1) HFC1N70 (1) HFC1N80 (1) HFD1N60 (1) HFD1N60S (1) HFD1N65 (1) HFD1N65S (1) HFD1N70 (1) HFD1N80 (1) HFD2N60 (1) HFD2N60S (1) HFD2N65S (1) HFD2N70S (1) HFD3N80 (1) HFD4N50 (1) HFD5N40 (1) HFD5N50S (1) HFD5N60S (1) HFD5N65S (1) HFD6N40S (1) HFD6N70U (1) HFG1N80 (1) HFH10N80 (1) HFH11N90 (1) HFH13N80 (1) HFH19N60 (1)
型号起始：	HCD65R36* (1) HCD65R60* (1) HCD65R66* (1) HCD70R60* (1) HDP10A03* (1) HDP10A04* (1) HDP10A05* (1) HDP10A06* (1) HDS10U30* (1) HDS10U40* (1) HDS10U50* (1) HDS10U60* (1) HDS20A03* (2) HDS20A04* (2) HDS20A05* (1) HDS20A06* (1) HFB1N60* (1) HFB1N60F* (1) HFB1N60S* (1) HFB1N70* (1) HFB1N70F* (1) HFB1N70S* (1) HFC1N60* (1) HFC1N70* (1) HFC1N80* (1) HFD1N60* (1) HFD1N60S* (1) HFD1N65* (1) HFD1N65S* (1) HFD1N70* (1) HFD1N80* (1)
所属品牌：	不限 SEMIHOW(275)
功能分类：	不限三端双向交流开关(32) 晶体(38) 开关(49) 晶体管(38) 电源开关(7) 高压(7) 局域网(19) 可控硅(6) 放大器(6) 功率放大器(3) PC(2) 栅(2) 可控硅整流器(1)

SEMIHOW - 型号起始; 总记录数：278

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		HFP7N60 中文翻译品牌: SEMIHOW	600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET
		HFP7N80 中文翻译品牌: SEMIHOW	800V N-Channel MOSFET 800V N沟道MOSFET
		HFP830 中文翻译品牌: SEMIHOW	500V N-Channel MOSFET 500V N沟道MOSFET
		HFP8N60S 中文翻译品牌: SEMIHOW	600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET
		HFP8N65S 中文翻译品牌: SEMIHOW	650V N-Channel MOSFET 650V N沟道MOSFET
		HFP9N50 中文翻译品牌: SEMIHOW	500V N-Channel MOSFET 500V N沟道MOSFET
		HFS10N60 中文翻译品牌: SEMIHOW	600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET
		HFS10N60S 中文翻译品牌: SEMIHOW	600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET
		HFS10N65S 中文翻译品牌: SEMIHOW	650V N-Channel MOSFET 650V N沟道MOSFET
		HFS10N80 中文翻译品牌: SEMIHOW	漏源电压Vdss(V):800V;额定电流Id(A):9.4A;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.15Ω 10V,4.7A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):65W;栅源耐压Vgs(V):4.5V 250μA;	栅
		HFS11N40 中文翻译品牌: SEMIHOW	400V N-Channel MOSFET 400V N沟道MOSFET
		HFS12N60S 中文翻译品牌: SEMIHOW	600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET
		HFS12N65S 中文翻译品牌: SEMIHOW	650V N-Channel MOSFET 650V N沟道MOSFET
		HFS13N50S 中文翻译品牌: SEMIHOW	500V N-Channel MOSFET 500V N沟道MOSFET
		HFS13N50U 中文翻译品牌: SEMIHOW	漏源电压Vdss(V):500V;额定电流Id(A):13A;最大导通阻抗Ron(mΩ):480mΩ 10V,6.5A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):41W;栅源耐压Vgs(V):4.5V 250μA;	栅
		HFS2N60 中文翻译品牌: SEMIHOW	600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET
		HFS2N60S 中文翻译品牌: SEMIHOW	600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET
		HFS2N65 中文翻译品牌: SEMIHOW	650V N-Channel MOSFET 650V N沟道MOSFET
		HFS2N65S 中文翻译品牌: SEMIHOW	650V N-Channel MOSFET 650V N沟道MOSFET
		HFS2N70S 中文翻译品牌: SEMIHOW	700V N-Channel MOSFET 700V N沟道MOSFET
		HFS35N75 中文翻译品牌: SEMIHOW	75V N-Channel MOSFET 75V N沟道MOSFET
		HFS3N80 中文翻译品牌: SEMIHOW	800V N-Channel MOSFET 800V N沟道MOSFET
		HFS4N50 中文翻译品牌: SEMIHOW	500V N-Channel MOSFET 500V N沟道MOSFET
		HFS4N60 中文翻译品牌: SEMIHOW	600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET
		HFS4N65 中文翻译品牌: SEMIHOW	650V N-Channel MOSFET 650V N沟道MOSFET
		HFS50N06 中文翻译品牌: SEMIHOW	60V N-Channel MOSFET 60V N沟道MOSFET
		HFS5N40 中文翻译品牌: SEMIHOW	400V N-Channel MOSFET 400V N沟道MOSFET
		HFS5N50S 中文翻译品牌: SEMIHOW	500V N-Channel MOSFET 500V N沟道MOSFET
		HFS5N60S 中文翻译品牌: SEMIHOW	600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET
		HFS5N60U 中文翻译品牌: SEMIHOW	类型:N沟道;元器件封装:TO-220F;

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SEMIHOW是什么品牌：SemiHow是以拥有Samsung半导体10年以上功率分立器件设计技术, Fab工艺技术, Fab 生产技术的优秀技术人员为核心建立于 2002年的功率分立器件专业公司.2004年为生产 Planar MOSFET Foundry 与 CM Micro(China Resources Microelectronics Limited) 签订了”技术支援及 Foundry 合约” 后搭建了 Planar MOSFET 工艺平台并于 2005年开始开发并量产了 High Voltage Planar MOSFET产品. SemiHow是东南亚首家成功开发并推出可与原有 Global 先进公司产品竞争的 High Voltage MOSFET 产品的创业公司.以后直至2017年通过与中国的 FMIC, HHGrace等 Foundry公司的战略合作陆续开发并上市 LV Trench MOSFET, SCR, Triac, SGT MOSFET, SJ MOSFET 等产品.并在手机充电器,适配器, LED照明, 家电电源, PC 电源等消费应用市场以及 EV 充电器, 网络产品,服务器等工业应用市场作为国际技术水准的专业功率分立器件公司得到了充分认可。