5962-9315 - 型号起始 - MICROSEMI; 总记录数：9

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		5962-9315401HXX 中文翻译品牌: MICROSEMI	EEPROM Module, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
		5962-9315402HXX 中文翻译品牌: MICROSEMI	EEPROM Module, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
		5962-9315501HYX 中文翻译品牌: MICROSEMI	EEPROM Module, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, DIP-32	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
		5962-9315502HYX 中文翻译品牌: MICROSEMI	EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, DIP-32	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
		5962-9315702HXC 中文翻译品牌: MICROSEMI	Multi-Port SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, CDIP32,	静态存储器内存集成电路
		5962-9315703HXA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Multi-Port SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS, CDIP32,	静态存储器内存集成电路
		5962-9315705HXA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Multi-Port SRAM Module, 256KX8, 55ns, CMOS, CDIP32,	静态存储器内存集成电路
		5962-9315706HXX 中文翻译品牌: MICROSEMI	SRAM Module, 256KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	静态存储器内存集成电路
		5962-9315708HXX 中文翻译品牌: MICROSEMI	SRAM Module, 256KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	静态存储器内存集成电路

Total:91

总9条记录，每页显示30条记录分1页显示。

型号起始：	5962-9315* (104) 5962-93150* (1) 5962-93152* (10) 5962-93153* (5) 5962-93154* (3) 5962-93155* (6) 5962-93156* (33) 5962-93157* (40) 5962-93158* (3) 5962-93159* (3)
所属品牌：	不限 ETC(78) MICROSEMI(9) WEDC(6) CYPRESS(5) IDT(3) INFINEON(2) MERCURY(1)
功能分类：	不限内存集成电路(4) 静态存储器(0) CD(4) 先进先出芯片(0) 可编程只读存储器(4) 电动程控只读存储器(4) 电可擦编程只读存储器(4) 信息通信管理(0) 外围集成电路(0) 数字信号处理器(0) 时钟(0) 转换器(0) 输出元件(0) 通信控制器(0) 异步传输模式(0) ATM(0)