品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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SGA-8343
中文翻译 品牌: SIRENZA |
Low Noise, High Gain SiGe HBT 低噪声,高增益的SiGe HBT |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | ||
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SGA-8543Z
中文翻译 品牌: SIRENZA |
High IP3 Medium Power Discrete SiGe Transistor 高IP3中等功率SiGe半导体分立晶体管 |
晶体 半导体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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SGA-9089Z
中文翻译 品牌: SIRENZA |
High IP3 Medium Power Discrete SiGe Transistor 高IP3中等功率SiGe半导体分立晶体管 |
晶体 半导体 晶体管 | |||
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SGA-9189
中文翻译 品牌: SIRENZA |
Medium Power Discrete SiGe Transistor 中功率分立SiGe半导体晶体管 |
晶体 半导体 晶体管 射频 微波 | |||
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SGA-9189Z
中文翻译 品牌: SIRENZA |
Medium Power Discrete SiGe Transistor 中功率分立SiGe半导体晶体管 |
晶体 半导体 晶体管 射频 微波 | |||
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SGA-9289
中文翻译 品牌: SIRENZA |
Medium Power Discrete SiGe Transistor 中功率分立SiGe半导体晶体管 |
晶体 半导体 晶体管 射频 微波 | |||
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SGA-9289Z
中文翻译 品牌: SIRENZA |
Medium Power Discrete SiGe Transistor 中功率分立SiGe半导体晶体管 |
晶体 半导体 晶体管 射频 微波 | |||
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SHF-0189
中文翻译 品牌: SIRENZA |
0.05 - 6 GHz, 0.5 Watt GaAs HFET 0.05 - 6 GHz时, 0.5瓦的GaAs HFET |
晶体 晶体管 开关 | ||
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SHF-0189Z
中文翻译 品牌: SIRENZA |
0.05 - 6 GHz, 0.5 Watt GaAs HFET 0.05 - 6 GHz时, 0.5瓦的GaAs HFET |
晶体 晶体管 开关 | |||
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SHF-0289Z
中文翻译 品牌: SIRENZA |
0.05 - 6 GHz, 1.0 Watt GaAs HFET 0.05 - 6 GHz时, 1.0瓦的GaAs HFET |
晶体 晶体管 开关 | ||
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SHF-0589
中文翻译 品牌: SIRENZA |
0.05-3 GHz, 2 Watt GaAs HFET 0.05-3千兆赫, 2瓦的GaAs HFET |
晶体 晶体管 开关 | |||
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SLD-1083CZ
中文翻译 品牌: SIRENZA |
4 Watt Discrete LDMOS FET in Ceramic Package 4瓦离散LDMOS FET的陶瓷封装 |
晶体 晶体管 光电二极管 | ||
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SLD-2000
中文翻译 品牌: SIRENZA |
12 Watt Discrete LDMOS FET-Bare Die 12瓦离散LDMOS FET -裸模 |
晶体 晶体管 功效 放大器 | |||
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SLD-2083CZ
中文翻译 品牌: SIRENZA |
12 Watt Discrete LDMOS FET in Ceramic Package 12瓦离散LDMOS FET的陶瓷封装 |
晶体 晶体管 功效 放大器 | |||
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SLD-3091FZ
中文翻译 品牌: SIRENZA |
30 Watt Discrete LDMOS FET in Ceramic Flanged Package 30瓦离散LDMOS FET陶瓷法兰封装 |
晶体 晶体管 光电二极管 局域网 | |||
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SPF-3043
中文翻译 品牌: SIRENZA |
Low Noise pHEMT GaAs FET 低噪声pHEMT制的GaAs FET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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SPF-3143
中文翻译 品牌: SIRENZA |
Low Noise pHEMT GaAs FET 低噪声pHEMT制的GaAs FET |
晶体 晶体管 光电二极管 放大器 |
Total:171
总17条记录,每页显示30条记录分1页显示。
SIRENZA是什么品牌:Sirenza Microdevices 成立于 1985 年,前身为 Matrix Microassembly Corporation,1992 年更名为 Stanford Microdevices, Inc.,于 2001 年 10 月更名为 Sirenza Microdevices。Stanford Microdevices 及其子公司 Premier Devices 的总部现位于科罗拉多州布鲁姆菲尔德,为商业通信、消费、航空航天和国防设备市场设计和开发射频组件。