型号等于：	2SC332 (1)
型号起始：	2SC33* (621) 2SC330* (35) 2SC331* (31) 2SC332* (111) 2SC333* (38) 2SC334* (16) 2SC335* (235) 2SC336* (56) 2SC337* (20) 2SC338* (27) 2SC339* (52)
所属品牌：	不限 TOSHIBA(89) ETC(74) NEC(69) RENESAS(66) KEXIN(50) ROHM(48) UTC(47) HITACHI(26) ISC(26) SAVANTIC(15) SANYO(14) PANASONIC(11) ONSEMI(10) BL Galaxy Electrical(9) SHIKUES(9) TYSEMI(9) FOSHAN(8) FUJI(5) COMCHIP(4) SECOS(4) CJ(3) NJSEMI(3) HC(2) HOTTECH(2) JCST(2) RUILON(2) SWST(2) WINNERJOIN(2) CDIL(1) GOOD-ARK(1) HTSEMI(1)
功能分类：	不限晶体(4) 晶体管(4) 开关(3) 光电二极管(3) 放大器(1) 小信号双极晶体管(0) 射频小信号双极晶体管(0) 局域网(0) 高压(0) ISM频段(0) 功率双极晶体管(0) 驱动(0) 微波(0) 音频放大器(0) 转换器(0) 稳压器(0) DC-DC转换器(0) 栅(0) PC(0) 双极型晶体管(0) 射频放大器(0) 电视(0) 功率放大器(0) 输出元件(0) 输出应用(0) 运算放大器(0) CD(0)

2SC33 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：9

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SC3324 中文翻译品牌: TYSEMI	High voltageVCEO=120V High hFE.hFE=200 to 700 Small package. 高voltageVCEO = 120V高hFE.hFE = 200〜 700小型封装。
		2SC3325 中文翻译品牌: TYSEMI	Excellent hFE linearity : hFE (2) = 25 (min) (VCE = 6 V, IC = 400 mA). 出色的线性度的hFE ： hFE参数（ 2 ）= 25 （分钟）（ VCE = 6 V ， IC = 400 mA）的。	晶体晶体管开关光电二极管
		2SC3326 中文翻译品牌: TYSEMI	High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min). High DC current gain: hFE = 200 1200. 高发射极 - 基极电压： VEBO = 25 V （分钟）。高直流电流增益： hFE参数= 200 1200 。	晶体晶体管开关光电二极管
		2SC3356 中文翻译品牌: TYSEMI	Low noise and high gain. NF = 1.1 dB Typ., Ga = 11 dB Typ. @VCE = 10 V, IC= 7 mA, f = 1.0 GHz 低噪声和高增益。 NF = 1.1 dB典型值。，嘎= 11 dB典型值。 @VCE = 10 V ，
		2SC3357 中文翻译品牌: TYSEMI	Low Noise and High Gain High power gain : MAG = 10 dB TYP. IC = 40 mA, f = 1 GHz 低噪声和高增益高功率增益： MAG = 10 dB典型值。 IC = 40 mA时， F = 1 GHz的	晶体晶体管放大器
		2SC3360 中文翻译品牌: TYSEMI	High DC current gain.hFE=90 to 450 High voltage VCEO=200V 高直流电流gain.hFE = 90〜 450的高电压VCEO = 200V
		2SC3361 中文翻译品牌: TYSEMI	Fast switching speed. High breakdown voltage.Collector-base voltage VCBO 60 V 快速开关速度。高击穿voltage.Collector - 基极电压VCBO 60 V	开关
		2SC3380 中文翻译品牌: TYSEMI	High frequency high voltage amplifier High voltage switch 高频高电压放大器高压开关	开关放大器高压
		2SC3392 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET process. High breakdown voltage : VCEO=50V. 采用FBET过程。高击穿电压VCEO = 50V 。	晶体晶体管开关光电二极管

Total:91

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