型号起始：	2SC36* (596) 2SC360* (25) 2SC361* (74) 2SC362* (87) 2SC363* (78) 2SC364* (109) 2SC365* (41) 2SC366* (66) 2SC367* (56) 2SC368* (29) 2SC369* (31)
所属品牌：	不限 NEC(98) RENESAS(85) TOSHIBA(71) ETC(61) UTC(55) KEXIN(46) JMNIC(39) ISC(33) SANYO(26) ONSEMI(23) SAVANTIC(16) TYSEMI(15) LGE(4) HITACHI(3) MITSUBISHI(3) SANKEN(3) NJSEMI(2) RECTRON(2) SECOS(2) SWST(2) WINNERJOIN(2) CJ(1) HOTTECH(1) HTSEMI(1) JCST(1) PANASONIC(1)
功能分类：	不限晶体(0) 晶体管(0) 开关(0) 光电二极管(0) 小信号双极晶体管(0) 局域网(0) 高压(0) 放大器(1) 功率双极晶体管(0) 功率放大器(0) 驱动(0) ISM频段(0) 射频小信号双极晶体管(0) 显示器(0) 输出应用(0) 电源开关(0) 微波(0) 高功率电源(0) 闪光灯(0) 稳压器(0) 驱动器(1) PC(0) CD(0) 电视(0) 输出元件(0) 视频放大器(0) 转换器(0) DC-DC转换器(0)

2SC36 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：15

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SC3606 中文翻译品牌: TYSEMI	Low noise figure, high gain .NF = 1.1dB, \|S21e\|2 = 11dB (f = 1 GHz) 低噪声系数，高增益.NF = 1.1分贝， \| S21e \| 2 = 11分贝（ F = 1千兆赫）	晶体晶体管光电二极管放大器
		2SC3617 中文翻译品牌: TYSEMI	World standard miniature package. High hFE hFE=800 to 1600. 世界标准的微型封装。高的hFE的hFE = 800〜1600 。	晶体晶体管开关
		2SC3618 中文翻译品牌: TYSEMI	World standard miniature package.Collector-base voltage VCBO 25 V 世界标准的微型package.Collector - 基极电压VCBO 25 V	晶体晶体管开关
		2SC3624 中文翻译品牌: TYSEMI	High DC current Gain: hFE = 1000 to 3200. Low VCE(sat): (VCE(sat) = 0.07 V TYP). 高直流电流增益： hFE参数= 1000〜 3200的低VCE （ sat）的：（ VCE （SAT） = 0.07 V典型值）
		2SC3632-Z 中文翻译品牌: TYSEMI	High voltage VCEO=600V High speed tf 0.5Ã¬s Collector to base voltage VCBO 600 V 高电压VCEO = 600V高速TF 0.5Ã¬s集电极到基极电压VCBO 600 V	晶体晶体管开关
		2SC3645 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET Process High Breakdown Voltage (VCEO = 160V) 采用FBET工艺高击穿电压（ VCEO = 160V ）
		2SC3646 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的， MBIT流程击穿电压高，电流容量大	晶体晶体管开关
		2SC3647 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的， MBIT流程击穿电压高，电流容量大
		2SC3648 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的， MBIT流程击穿电压高，电流容量大	晶体晶体管开关
		2SC3649 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的， MBIT流程击穿电压高，电流容量大
		2SC3650 中文翻译品牌: TYSEMI	High DC current gain (hFE=800 to 3200). Low collector-to-emitter saturation voltage 高直流电流增益（HFE = 800〜 3200 ）。低集电极 - 发射极饱和电压	晶体晶体管放大器
		2SC3651 中文翻译品牌: TYSEMI	High DC current gain High breakdown voltage Low colleotor-to- emitter saturation voltage 高直流电流增益高击穿电压低colleotor极 - 发射极饱和电压
		2SC3661 中文翻译品牌: TYSEMI	Low frequency general-purpose amplifiers, drivers, muting circuit. 低频通用放大器，驱动器，静音电路。	驱动器放大器
		2SC3663 中文翻译品牌: TYSEMI	Low-voltage, low-current, low-noise and high-gain Gold electrode gives high reliability. 低电压，低电流，低噪声和高增益的金电极提供高可靠性。	晶体晶体管光电二极管放大器
		2SC3689 中文翻译品牌: TYSEMI	Small Cob (Cob=1.5pF typ). Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat) 0.5V). 小玉米棒（COB =取1.5pF典型值）。低集电极 - 发射极饱和电压（ VCE （ sat）的0.5V ）。

Total:151

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