型号等于:2SC3357 (20) 2SC3357A (1) 2SC3357B (1) 2SC3357C (1) 2SC3357D (1) 2SC3357E (1)
型号起始:2SC3357* (59) 2SC3357(* (1) 2SC3357-* (22) 2SC3357A* (1) 2SC3357B* (1) 2SC3357C* (1) 2SC3357D* (1) 2SC3357E* (1) 2SC3357R* (11)
所属品牌:不限 NEC(17) RENESAS(13) KEXIN(5) SHIKUES(5) ISC(2) BL Galaxy Electrical(1) ETC(1) FOSHAN(1) HC(1) HOTTECH(1) TYSEMI(1) UTC(1)
功能分类:不限 晶体(19) 小信号双极晶体管(11) 射频小信号双极晶体管(11) 放大器(23) 晶体管(15) ISM频段(4)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
2SC3357
中文翻译 品牌: NEC
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
NPN硅外延晶体管功率MINI模具
晶体 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 放大器
2SC3357
中文翻译 品牌: RENESAS
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD
NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD
晶体 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 放大器
2SC3357
中文翻译 品牌: KEXIN
NPN Silicon RF Transistor
NPN硅晶体管RF
晶体 晶体管 放大器
2SC3357
中文翻译 品牌: ISC
isc Silicon NPN RF Transistor
ISC的硅NPN晶体管RF
晶体 晶体管 放大器
2SC3357
中文翻译 品牌: TYSEMI
Low Noise and High Gain High power gain : MAG = 10 dB TYP. IC = 40 mA, f = 1 GHz
低噪声和高增益高功率增益: MAG = 10 dB典型值。 IC = 40 mA时, F = 1 GHz的
晶体 晶体管 放大器
2SC3357
中文翻译 品牌: UTC
NPN
2SC3357
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical
120V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
2SC3357
中文翻译 品牌: HOTTECH
SOT-89
2SC3357
中文翻译 品牌: FOSHAN
SOT-89
2SC3357
中文翻译 品牌: HC
SOT-89
Total:101
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