品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SC3006
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) 晶体管( UHF频段功率放大) |
晶体 射频双极晶体管 功率放大器 局域网 | |||
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2SC3018
中文翻译 品牌: MITSUBISHI |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) NPN外延平面型( RF功率晶体管) |
晶体 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 放大器 局域网 | |||
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2SC3102
中文翻译 品牌: MITSUBISHI |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) NPN外延平面型( RF功率晶体管) |
晶体 射频双极晶体管 放大器 局域网 | ||
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2SC3102
中文翻译 品牌: NJSEMI |
RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE RF功率晶体管NPN外延平面型 |
晶体 晶体管 放大器 局域网 | |||
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2SC3103
中文翻译 品牌: MITSUBISHI |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) NPN外延平面型( RF功率晶体管) |
晶体 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 放大器 局域网 | |||
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2SC3104
中文翻译 品牌: MITSUBISHI |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) NPN外延平面型( RF功率晶体管) |
晶体 射频双极晶体管 放大器 局域网 | |||
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2SC3105
中文翻译 品牌: MITSUBISHI |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) NPN外延平面型( RF功率晶体管) |
晶体 射频双极晶体管 放大器 局域网 | |||
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2SC3286-M
中文翻译 品牌: NEC |
SILICON POWER TRANSISTOR 硅功率晶体管 |
晶体 晶体管 放大器 局域网 | |||
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2SC3379
中文翻译 品牌: MITSUBISHI |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) NPN外延平面型( RF功率晶体管) |
晶体 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 放大器 局域网 | |||
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2SC3404
中文翻译 品牌: MITSUBISHI |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) NPN外延平面型( RF功率晶体管) |
晶体 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 放大器 局域网 | |||
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2SC3416-CD
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | ||||
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2SC3416C-CD
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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2SC3416D-CD
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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2SC3503-CD
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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2SC3503D-CD
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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2SC3503E-CD
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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2SC3630
中文翻译 品牌: MITSUBISHI |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) NPN外延平面型( RF功率晶体管) |
晶体 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 放大器 局域网 | |||
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2SC3705-CD
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | ||||
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2SC3908
中文翻译 品牌: MITSUBISHI |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) NPN外延平面型( RF功率晶体管) |
晶体 晶体管 功率双极晶体管 放大器 局域网 |
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