型号等于：	0204-125 (1) 1-5KE440A (1) 1-5KE440CA (1) 1-5KE6V8A (1) 1-5KE6V8CA (1) 1.5KE (1) 1.5KE100A (1) 1.5KE100A-RL (1) 1.5KE100A/CA (1) 1.5KE100CA (1) 1.5KE100CA-RL (1) 1.5KE100CARL (1) 1.5KE100CPRL (1) 1.5KE10A (1) 1.5KE10A-RL (1) 1.5KE10A/CA (1) 1.5KE10CA (1) 1.5KE10CA-RL (1) 1.5KE10CP (1) 1.5KE10CPRL (1) 1.5KE110ARL (1) 1.5KE110PRL (1) 1.5KE11CARL (1) 1.5KE11PRL (1) 1.5KE120A (1) 1.5KE120A-RL (1) 1.5KE120A/CA (1) 1.5KE120ARL (1) 1.5KE120CA (1) 1.5KE120CA-RL (1) 1.5KE120CP (1)
型号起始：	0204-125* (1) 1-5KE440A* (1) 1-5KE440CA* (1) 1-5KE6V8A* (1) 1-5KE6V8CA* (1) 1.5KE* (1) 1.5KE100A* (1) 1.5KE100A-RL* (1) 1.5KE100A/CA* (1) 1.5KE100CA* (1) 1.5KE100CA-RL* (1) 1.5KE100CARL* (1) 1.5KE100CPRL* (1) 1.5KE10A* (1) 1.5KE10A-RL* (1) 1.5KE10A/CA* (1) 1.5KE10CA* (1) 1.5KE10CA-RL* (1) 1.5KE10CP* (1) 1.5KE10CPRL* (1) 1.5KE110ARL* (1) 1.5KE110PRL* (1) 1.5KE11CARL* (1) 1.5KE11PRL* (1) 1.5KE120A* (1) 1.5KE120A-RL* (1) 1.5KE120A/CA* (1) 1.5KE120ARL* (1) 1.5KE120CA* (1) 1.5KE120CA-RL* (1) 1.5KE120CP* (1)
所属品牌：	不限 STMICROELECTRONICS(153760)
功能分类：	不限可编程只读存储器(37409) 电动程控只读存储器(33466) 电可擦编程只读存储器(24879) 闪存(20153) 存储(20768) 微控制器(9241) 内存集成电路(21432) 光电二极管(26680) 时钟(14166) 静态存储器(6814) 稳压器(2842) OTP只读存储器(3268) 运算放大器(2753) 并行 IO 端口(1119) 微控制器和处理器(3361) 外围集成电路(6409) 可控硅(2066) 三端双向交流开关(2432) CD(3039) 测试(1024) 二极管(3123) 振荡器(1046) 转换器(1909) 双倍数据速率(1881) 线性稳压器IC(1681) 调节器(2378) 电源电路(2867) 输出元件(4010) 控制器(1287) 局域网(4731) 栅(1951) 栅极(2869) 电视(1263) 放大器电路(1001) 晶体(2952) 晶体管(3292) 输入元件(1527) 计数器(730) 通信(931) 功率场效应晶体管(1193) 开关(3246) 脉冲(1549) 驱动器(1064) 装置(777) 双极性晶体管(745) 电机(837) ISM频段(565) 比较器(978) 触发器(1734) 监控(807) LPWA(313)

STMICROELECTRONICS - 型号起始 - 脉冲; 总记录数：1671

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1.5KE180ARL 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	反向峰值电压VRWM(V):154V;最小反向击穿电压VBR(V):171V;最大钳位电压Vc(V):317V;最大峰值脉冲电流IPP(A):31.5A（8/20µs）;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;	脉冲
		1.5KE18CARL 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	反向峰值电压VRWM(V):15.3V;最小反向击穿电压VBR(V):17.1V;最大钳位电压Vc(V):32.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):308A（8/20µs）;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;	脉冲
		1.5KE200CARL 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	反向峰值电压VRWM(V):171V;最小反向击穿电压VBR(V):190V;最大钳位电压Vc(V):353V;最大峰值脉冲电流IPP(A):28A（8/20µs）;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;	脉冲
		1.5KE22ARL 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	反向峰值电压VRWM(V):18.8V;最小反向击穿电压VBR(V):20.9V;最大钳位电压Vc(V):39.3V;最大峰值脉冲电流IPP(A):254A（8/20µs）;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;	脉冲
		1.5KE30CARL 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	反向峰值电压VRWM(V):25.6V;最小反向击穿电压VBR(V):28.5V;最大钳位电压Vc(V):53.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):187A（8/20µs）;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;	脉冲
		1.5KE56ARL 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	反向峰值电压VRWM(V):47.8V;最小反向击穿电压VBR(V):53.2V;最大钳位电压Vc(V):100V;最大峰值脉冲电流IPP(A):100A（8/20µs）;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;	脉冲
		1.5KE62ARL 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	反向峰值电压VRWM(V):53V;最小反向击穿电压VBR(V):58.9V;最大钳位电压Vc(V):111V;最大峰值脉冲电流IPP(A):90A（8/20µs）;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;	脉冲
		1.5KE7V5ARL 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	反向峰值电压VRWM(V):6.4V;最小反向击穿电压VBR(V):7.13V;最大钳位电压Vc(V):14.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):690A（8/20µs）;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;	脉冲
		1.5KE82CARL 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	反向峰值电压VRWM(V):70.1V;最小反向击穿电压VBR(V):77.9V;最大钳位电压Vc(V):146V;最大峰值脉冲电流IPP(A):69A（8/20µs）;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;	脉冲
		BUZ71 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N - CHANNEL 50V - 0.085W - 17A TO-220 STripFET] POWER MOSFET N - CHANNEL 50V - 0.085W - 17A TO- 220的STripFET ] POWER MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		BUZ71A EDA模型中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N - CHANNEL 50V - 0.1W - 13A TO-220 STripFET] POWER MOSFET N - CHANNEL 50V - 0.1W - 13A TO- 220的STripFET ] POWER MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		BUZ74 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	2.4A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN	局域网高压开关脉冲晶体管
		BUZ80A 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N - CHANNEL 800V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220 FAST POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL 800V - 2.5ohm - 3.8A - TO- 220快速功率MOS晶体管	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		BUZ80FI 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - 沟道增强型功率MOS晶体管	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		BZW04-239RL 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	最大峰值脉冲功率Ppk(W):400W;元器件封装:DO-204;	脉冲
		BZW04-7V8BRL 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	反向峰值电压VRWM(V):7.8V;最小反向击穿电压VBR(V):9.5V;最大钳位电压Vc(V):11.3V;最大峰值脉冲电流IPP(A):16A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):400W;元器件封装:DO-204;	脉冲
		BZW06-10BRL 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	PEAK PULSE POWER 600 W (10/1000ms) 峰值脉冲功率600 W（ 10 / 1000毫秒）	脉冲局域网（LAN）标准
		BZW06-31RL EDA模型中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	PEAK PULSE POWER 600 W (10/1000ms) 峰值脉冲功率600 W（ 10 / 1000毫秒）	瞬态抑制器二极管脉冲局域网局域网（LAN）标准
		BZW06-5V8376 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	PEAK PULSE POWER 600 W (10/1000ms) 峰值脉冲功率600 W（ 10 / 1000毫秒）	脉冲局域网（LAN）标准
		BZW06-5V8B376B 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	PEAK PULSE POWER 600 W (10/1000ms) 峰值脉冲功率600 W（ 10 / 1000毫秒）	脉冲局域网（LAN）标准
		ESDA25P35-1U1M EDA模型中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	最小反向击穿电压VBR(V):23.3V;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1400W（1.4kW）;元器件封装:1610;	脉冲
		ESDZX051-1BF4 EDA模型中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	反向峰值电压VRWM(V):10.5V（最大）;最小反向击穿电压VBR(V):9.6V（标准）;最大钳位电压Vc(V):10V（标准）;最大峰值脉冲电流IPP(A):4A（8/20µs）;最大峰值脉冲功率Ppk(W):20W;元器件封装:ST0201;	脉冲
		HSP062-2P6 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	反向峰值电压VRWM(V):3V;最小反向击穿电压VBR(V):6V;最大钳位电压Vc(V):18V（标准）;最大峰值脉冲电流IPP(A):3A（8/20µs）;元器件封装:SOT-666;	脉冲
		IRF520FI 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N - 沟道增强型功率MOS晶体管	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRF531 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N沟道增强型功率MOS晶体管	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRF531FI 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N沟道增强型功率MOS晶体管	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRF532FI 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N沟道增强型功率MOS晶体管	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRF533FI 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N沟道增强型功率MOS晶体管	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRF540 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRF540FI 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网

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STMICROELECTRONICS是什么品牌：意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。自创办以来，意法半导体在研发的投入上从未动摇过，被公认为半导体工业最具创新力的公司之一。制造工艺包括先进的CMOS逻辑（包括嵌入式存储器的衍生产品）、混合信号、模拟和功率制造工艺。在先进的CMOS领域，意法半导体将与IBM联盟合作开发下一代制造工艺，包括32nm 和 22nm CMOS工艺开发、设计实现技术和针对300mm晶圆制造的先进研究，此外，意法半导体和IBM还将利用位于法国Crolles的300mm生产设施开发高附加值的CMOS衍生系统级芯片技术。意法半导体在全球拥有一个巨大的晶圆前后工序制造网络（前工序指晶圆制造，后工序指组装、封装和测试）。公司正在向轻资金密集型制造战略转型，最近公布了关闭一些旧工厂的停产计划。目前，意法半导体的主要晶圆制造厂位于意大利的Agrate Brianza和Catania、法国的Crolles、Rousset和Tours、美国的Phoenix和Carrollton，以及新加坡。